Texas Instruments vervierfacht interne Fertigungskapazität für Galliumnitrid-Halbleiter

Highlights dieser Meldung:

• TI nimmt die GaN-Produktion in Japan auf und vervierfacht damit seine interne GaN-Fertigungskapazität, die sich auf Fabriken in den USA und Japan verteilt.
• Die GaN-basierten Halbleiterbausteine von TI werden bereits produziert und sind umgehend verfügbar.
• Mit seinem unerreicht breiten Portfolio an integrierten Leistungshalbleitern auf GaN-Basis schafft TI die Voraussetzungen für Endprodukte von höchster Energieeffizienz, Zuverlässigkeit und Leistungsdichte.
• Erfolgreich angestoßen wurde von TI die Entwicklung der GaN-Produktion auf 300-mm-Wafern.

Dallas (Texas/USA) und Aizu (Japan), den 24. Oktober 2024 – Texas Instruments (TI) (Nasdaq: TXN) gab heute bekannt, dass das Unternehmen in seinem Werk Aizu (Japan) die Produktion von Leistungshalbleitern auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) gestartet hat. Zusammen mit seiner bestehenden GaN-Fertigung in Dallas/Texas kann TI damit jetzt viermal mehr GaN-basierte Leistungshalbleiter herstellen, sobald die Produktion in Aizu hochgefahren ist. 

Pluspunkte der GaN-Technologie

Als Alternative zu Silizium stellt GaN ein Halbleitermaterial dar, das sich durch Vorteile in Sachen Energieeffizienz, Schaltgeschwindigkeit, Lösungsabmessungen und -gewicht und Gesamt-Systemkosten auszeichnet und auch hinsichtlich der Leistungsfähigkeit bei hohen Temperaturen und Spannungen überlegen ist. Mit ihrer höheren Leistungsdichte, d. h. ihrem geringeren Platzbedarf bei gleicher Leistung, eignen sich GaN-Chips beispielsweise für Laptop- und Mobiltelefon-Netzteile sowie für kleinere, energieeffizientere Motoren in Heizungs- und Klimaanlagen sowie Hausgeräten.

Inzwischen bietet TI eine unerreicht breite Palette an integrierten GaN-basierten Leistungshalbleitern für niedrige bis hohe Spannungen an, sodass sich Elektronik realisieren lässt, die ein Maximum an Energieeffizienz, Zuverlässigkeit und Leistungsdichte bietet.

„Mithilfe von GaN ist TI in der Lage, mehr Leistung auf effizientere Weise auf kleinem Raum unterzubringen, was für viele unserer Kunden die primäre innovationstreibende Forderung des Markts darstellt“, kommentiert Kannan Soundarapandian, Vice President of High-Voltage Power bei TI. „Die Designer beispielsweise von Server-Stromversorgungen, PV-Systemen und AC/DC-Netzteilen stehen vor der Herausforderung, die Leistungsaufnahme zu senken und die Energieeffizienz zu steigern, weshalb sie zunehmend nach einer zuverlässigen Versorgung mit den leistungsfähigen GaN-basierten Chips von TI verlangen. Das von TI angebotene Portfolio an integrierten GaN-Leistungsstufen ermöglicht es den Kunden, neben einer höheren Leistungsdichte auch eine einfachere Anwendung und niedrigere Systemkosten zu erzielen.“

Mit dem proprietären GaN-on-Silicon-Prozess des Unternehmens, Zuverlässigkeitsprüfungen im Gesamtumfang von über 80 Millionen Stunden sowie integrierten Schutzfunktionen sind die GaN-Chips von TI dafür konzipiert, die Sicherheit von Hochspannungs-Systemen zu gewährleisten.

Fortschrittlichste GaN-Fertigungstechnologie der heutigen Zeit

Unter Verwendung der fortschrittlichsten Anlagen, die derzeit für die Produktion von GaN-Chips existieren, resultiert die neu hinzugekommene Fertigungskapazität von TI in mehr Produkt-Performance und einem effizienteren Produktionsprozess, vom Kostenvorteil ganz zu schweigen.

Die fortschrittlicheren und effizienteren Tools der expandierten GaN-Fertigung bei TI können überdies kleinere Chips produzieren, die noch mehr Leistung bieten. Diese Designinnovation lässt sich zudem mit weniger Wasser, Energie und Rohstoffen realisieren, und die mit GaN-Chips gefertigten Endprodukte können ebenfalls mit diesen ökologischen Vorteilen punkten.

Skaliert für künftige Weiterentwicklungen

Die Performance-Vorteile der erweiterten GaN-Fertigung von TI befähigen das Unternehmen dazu, seine GaN-Chips auf höhere Spannungen zu skalieren. Beginnend mit 900 V, wird mit der Zeit auf höhere Spannungen übergegangen, was die in Sachen Energieeffizienz und Platzbedarf erzielten Innovationen für Anwendungen wie die Robotik, erneuerbare Energie und Server-Stromversorgungen weiter ausbaut.

Das gesteigerte Investment von TI umfasst nicht zuletzt eine Anfang des Jahres erfolgreich realisierte Pilotlinie zur Entwicklung von GaN-Fertigungsprozessen auf 300-mm-Wafern. Überdies sind die erweiterten GaN-Fertigungsprozesse des Unternehmens uneingeschränkt auf 300-mm-Technologie übertragbar, sodass TI bestens aufgestellt ist, um künftig gemäß dem Bedarf der Kunden auf 300 mm zu wechseln.

TI setzt auf verantwortungsbewusste, nachhaltige Produktion

Die Erweiterung der Produktion und Innovation im Bereich der GaN-Technologie ist das jüngste Beispiel für das Engagement des Unternehmens zugunsten einer verantwortungsbewussten und nachhaltigen Fertigung. TI hat sich in diesem Zusammenhang verpflichtet, seine Elektrizität in den USA bis 2027 und bis 2030 auch weltweit zu 100 % aus erneuerbaren Quellen zu beziehen.

Mehr über GaN und die Fertigung bei TI:

• Die GaN-Technologie von TI
• Die Fertigung bei TI
• Das Engagement von TI für ökologische Nachhaltigkeit

Über Texas Instruments

Texas Instruments Incorporated (Nasdaq: TXN) ist ein globales Halbleiterunternehmen. Wir entwickeln, produzieren, testen und verkaufen analoge und integrierte Halbleiter für Industrieanwendungen, die Automobilindustrie, Unterhaltungselektronik, Kommunikationstechnik sowie Unternehmenssysteme. Wir arbeiten mit Leidenschaft daran, Elektronik mithilfe von Halbleitertechnologie erschwinglich und dadurch die Welt besser zu machen. Diese Einstellung leben wir jeden Tag: Mit jedem Innovationszyklus wird unsere Technologie noch platzsparender, effizienter, zuverlässiger und erschwinglicher, sodass Halbleiter überall in der Elektronik eingesetzt werden können. Dies verstehen wir unter technischem Fortschritt, und so arbeiten wir bereits seit Jahrzehnten. Erfahren Sie mehr auf TI.com.