HEV/EV – Inverter & und Motorsteuerung

Der Gate-Treiber sorgt für die galvanische Trennung zwischen Eingang und Ausgang, steuert die SiC- oder IGBT-basierten Dreiphasenmotor-Halbbrücken an, ermöglicht die Überwachung von und bietet Schutzmaßnahmen gegen verschiedene Fehlerzustände.

Vorteile:

• Verbessern Sie den Systemwirkungsgrad: Minimieren Sie Schalt- und Leitungsverluste, einschließlich Ein- und Ausschaltstromverbrauch.
• Erhöhen Sie die Leistungsdichte: Hohe Antriebskraft von Wide Bandgap-Halbleiterlösungen sind bei sehr hohen Frequenzen und hohen Temperaturen einsetzbar. So können passive Bauelemente wie Kondensatoren und Spulen im Wechselrichter-Design deutlich kleiner ausfallen und der Aufwand für die Kühlung der Leistungselektronik sinkt. 
• Höhere Zuverlässigkeit und Sicherheit: Integrierte IGBT/SiC-zustandsüberwachungsfunktionen erkennen frühzeitig Ausfälle von Leistungsschaltern. Optimierte Diagnosefunktionen unterstützen höchste Standards für funktionale Sicherheit (bis ASIL-D). 

Ermöglichen Sie mit hochleistungsfähigen Echtzeit-Steuerungs-MCUs neue Architekturen für die nächsten Generation elektrifizierter Fahrzeuge. Diese Funktionen mit < 4-us-Regelkreisen (einschließlich Resolver) und Rechenleistung von 3,2k DMIPS ermöglichen:

• Erhöhte Reichweite: Höhere Motordrehzahlen (>20.000 U/min) reduzieren die Motorgröße und können die Fahrstrecke pro Ladung verlängern.
  
• Höhere Leistungsdichte und Effizienz Eine bessere Nutzung der Regelkreisbandbreite und die Unterstützung für höhere Schaltfrequenzen (>20 kHz) erschließen das Potenzial für die Verwendung von Technologien mit großer Bandlücke wie Siliziumkarbid (SiC). 
• Normung zur Funktionalen Sicherheit: Die funktionalen Sicherheitsmerkmale ermöglichen eine Zertifizierung bis zu der Norm ASIL-D/SIL3, Einbruchsichere Anwendungen für die E-Fahrzeug-Sicherheit (EVITA) und die Unterstützung von AUTOSAR.

Bleiben Sie wettbewerbsfähig, mit niedrigeren Kosten und einem höheren Mehrwert und verbessern Sie gleichzeitig die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad Ihrer Entwicklung, damit Sie die Systemanforderungen erfüllen können. Wählen Sie aus einem umfassenden Portfolio an Bausteinen mit integrierten FETs und Magneten oder integrierten FETs und externen Magneten und externen FETs und externen Magneten.

Vorteile:

• Verbessern Sie die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad Ihrer Entwicklungen, mit kleinen Lösungen, CMTI von >150 V/ns und überlegener EMI-Leistung.
• Erfüllen Sie die Funktionssicherheitsstandards mit Konformität gemäß ISO26262 sowie Diagnose und Schutz auf Systemebene.
• Schützen Sie Leistungsmodule mit hoher Lastregelgenauigkeit und thermischer Leistung.

Erreichen Sie genaue, latenzarme Strom- und Spannungsmessungen mit hoher Gleichtakt-Transientenfestigkeit (CMTI) und Betriebsspannungen, wodurch die Systemeffizienz, Zuverlässigkeit und Leistung von Traktionswechselrichtersystemen verbessert wird.

Vorteile:

• Hochmoderne kapazitive Isolierung erhöht die Sicherheit und bietet Einsparungen bei den Systemkosten.
• Trennverstärker und Modulatoren bieten eine hohe Bandbreite für schnellere Steuerungs- und Reaktionszeiten, was eine höhere Systemzuverlässigkeit und eine bessere Leistung ermöglicht.
• Speziell für Resolver-Anregung entwickelte Hochleistungsverstärker reduzieren den Platzbedarf auf der Leiterplatte und machen externe Schutzschaltungen überflüssig.

Erfüllen Sie mit unseren Analog- und Embedded-Verarbeitungsprodukten die strengen Anforderungen funktionaler Sicherheitsstandards wie ISO 26262. Zusätzlich zu unseren für die funktionale Sicherheit zertifizierten Ingenieuren unterstützen Sie die verfügbare Dokumentation und Ressourcen wie FIT-Rate für funktionale Sicherheit, FMEDA, Sicherheitszertifikate und Softwarediagnosebibliotheken bei der Optimierung Ihres Zertifizierungsprozesses.