Intelligente Galliumnitrid (GaN)-Leistungsmodule (IPMs)
Maximieren Sie den Wirkungsgrad in Hochspannungs-Motorantriebsanwendungen mit unseren integrierten intelligenten Galliumnitrid (GaN)-Leistungsmodulen (IPMs)
Zugehörige Kategorien
Vorteile unserer GaN-IPMs
Steigern der Systemeffizienz
Unsere intelligenten Stromversorgungsmodule integrieren Hochspannungs-GaN-Bausteine mit geringem Durchlasswiderstand, welche eine Effizienzsteigerung des Inverters von 2 % ermöglichen und Leistungsverluste im Vergleich zu IGBT- oder MOSFET-Modulen um 50 % oder mehr reduzieren.
Verlängern der Lebensdauer von Motorantrieben
Integrierte Anstiegsratensteuerung und mehrstufiger Schutz tragen dazu bei, die Motorerwärmung zu reduzieren, den Wirkungsgrad zu maximieren und die Isolierung über die Lebensdauer eines Motors zu verbessern.
Ermöglichen eines leisen und präzisen Motorbetriebs
Erzielen Sie eine genaue Strommessung mit geringer Ausbreitungsverzögerung und reduzieren Sie Stromoberschwingungen mit geringer Totzeit. Die Unterstützung für niedrige Tastverhältnisse ermöglicht einen breiteren Betriebsbereich von Motordrehzahlen.
Verbessern der Leistungsdichte und reduzieren der Systemkosten
Reduzieren Sie die Systemgröße um bis zu 60 %, indem Sie den Kühlkörper eliminieren und einen Strommessverstärker und Schutzfunktionen integrieren.
Vorgestellte Technologien
Einführung in GaN-IPMs
Intelligente Leistungsmodule (IPMs) aus Galliumnitrid (GaN) ermöglichen eine höhere Leistungsdichte und Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und Bipolartransistoren mit isoliertem Gate.
Vorteile:
- >Ein Wirkungsgrad von 99 % in der Leistungsstufe macht Kühlkomponenten wie Kühlkörper überflüssig, wodurch der Gesamtwirkungsgrad verbessert und die Größe des Motortreibersystems reduziert wird.
- <150 ns Totzeit und Ausbreitungsverzögerung in Verbindung mit höheren Schaltfrequenzen der Pulsweitenmodulation reduzieren die Stromverzerrung, um die akustische Leistung zu verbessern.