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Intelligente Galliumnitrid (GaN)-Leistungsmodule (IPMs)

Maximieren Sie den Wirkungsgrad in Hochspannungs-Motorantriebsanwendungen mit unseren integrierten intelligenten Galliumnitrid (GaN)-Leistungsmodulen (IPMs)

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    Unsere integrierten GaN-IPMs erreichen einen Wechselrichterwirkungsgrad von mehr als 99 %, wodurch kein externer Kühlkörper erforderlich ist und die thermische Leistung bei reduziertem Leistungsverlust verbessert wird. Erweiterte Integration und höhere Leistungsdichte ermöglichen eine geringere Lösungsgröße und Kosten auf Systemebene. Extrem niedrige Totzeit und Ausbreitungsverzögerung verbessern die akustische Leistung mit reduzierten Stromoberschwingungen und präziserer Strommessung. Maximale Energieeffizienz, keine Sperrverzögerung, genaue Anstiegsratensteuerung sowie Kurzschluss- und Überstromschutz verbessern die Systemzuverlässigkeit und verlängern die Lebensdauer von Motorantrieben.
    Zugehörige Kategorien
    Galliumnitrid (GaN) ICs

    Maximieren Sie Leistungsdichte und Effizienz mit unserem Sortiment an GaN-Leistungsbausteinen für jeden Leistungspegel.

    DRV7308
    Intelligente Galliumnitrid (GaN)-Leistungsmodule (IPMs)

    Dreiphasiges integriertes GaN-FET-Intelligent Power Module (IPM), ‌650 V, 205 mΩ, mit Schutz und Str

    Ungefährer Preis (USD) 1ku | 5.5

    Vorteile unserer GaN-IPMs

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    Steigern der Systemeffizienz

    Unsere intelligenten Stromversorgungsmodule integrieren Hochspannungs-GaN-Bausteine mit geringem Durchlasswiderstand, welche eine Effizienzsteigerung des Inverters von 2 % ermöglichen und Leistungsverluste im Vergleich zu IGBT- oder MOSFET-Modulen um 50 % oder mehr reduzieren.

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    Verlängern der Lebensdauer von Motorantrieben

    Integrierte Anstiegsratensteuerung und mehrstufiger Schutz tragen dazu bei, die Motorerwärmung zu reduzieren, den Wirkungsgrad zu maximieren und die Isolierung über die Lebensdauer eines Motors zu verbessern.

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    Ermöglichen eines leisen und präzisen Motorbetriebs

    Erzielen Sie eine genaue Strommessung mit geringer Ausbreitungsverzögerung und reduzieren Sie Stromoberschwingungen mit geringer Totzeit. Die Unterstützung für niedrige Tastverhältnisse ermöglicht einen breiteren Betriebsbereich von Motordrehzahlen.

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    Verbessern der Leistungsdichte und reduzieren der Systemkosten

    Reduzieren Sie die Systemgröße um bis zu 60 %, indem Sie den Kühlkörper eliminieren und einen Strommessverstärker und Schutzfunktionen integrieren.

    Vorgestellte Technologien

    Einführung in GaN-IPMs

    Intelligente Leistungsmodule (IPMs) aus Galliumnitrid (GaN) ermöglichen eine höhere Leistungsdichte und Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und Bipolartransistoren mit isoliertem Gate. 

    Vorteile:

    • >Ein Wirkungsgrad von 99 % in der Leistungsstufe macht Kühlkomponenten wie Kühlkörper überflüssig, wodurch der Gesamtwirkungsgrad verbessert und die Größe des Motortreibersystems reduziert wird.
    • <150 ns Totzeit und Ausbreitungsverzögerung in Verbindung mit höheren Schaltfrequenzen der Pulsweitenmodulation reduzieren die Stromverzerrung, um die akustische Leistung zu verbessern.
    Technical article
    Achieving household energy efficiency and cost savings with GaN-based motor system designs
    Erfahren Sie, wie die Kreuzung von GaN-Technologie und DC-Bürstenmotorsystemen das Leben von Verbrauchern verbessern kann.
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    White paper
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    Effiziente GaN-IPMs
    Entwickeln Sie effizientere, kompaktere Motorsysteme mit dem DRV7308 GaN IPM.
    Vorgestellte Produkte für Galliumnitrid (GaN)
    Neu DRV7308 VORSCHAU Dreiphasiges integriertes GaN-FET-Intelligent Power Module (IPM), ‌650 V, 205 mΩ, mit Schutz und Str

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    Technische Ressourcen

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    Entwickeln Sie effizientere, kompaktere Motorsysteme mit dem DRV7308 GaN IPM
    Entwickeln Sie kleinere, leisere und effizientere Motorantriebssysteme mit unserem intelligenten DRV7308 GaN-Leistungsmodul (IPM) für 150 W- bis 250 W- Motorantriebsanwendungen.
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    How Three-Phase Integrated GaN Technology Maximizes Motor-Drive Performance
    Fortschritte auf dem Gebiet der GaN-basierten IPMs werden auch weiterhin dazu beitragen, die Leistungsdichte, die Leistungsbereitstellung und die Effizienz von Motorantrieben für Haushaltsgeräte und HLK-Systeme zu erhöhen, während gleichzeitig Systemkosten eingespart werden und die Zuverlässigkeit erhöht wird.
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