Gallium nitride (GaN) motor drivers
Maximieren Sie die Energieeffizienz und minimieren Sie die Lösungsgröße mit intelligenten Leistungsmodulen (Intelligent Power Modules, IPMs) auf Basis von Galliumnitrid (GaN) und Halbbrücken-Motortreibern
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650-V-GaN-IPMs
Maximieren Sie die Leistungsdichte und Effizienz mit unserem GaN-IPM-Hochspannungsbaustein
GaN-Halbbrückentreiber mit< 200 V
Verbessern Sie die Effizienz und minimieren Sie die Lösungsgröße mit unserem GaN-Halbbrückenbaustein für mittlere Spannungen
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Vorteile unserer GaN-Motortreiber
Steigern der Systemeffizienz
Unsere GaN-Motortreiber integrieren GaN-FETs mit geringem Durchlasswiderstand, welche eine um bis zu 2 % höhere Energieeffizienz liefern und Leistungsverluste im Vergleich zu Silizium-basierten Technologien um 50 % oder mehr reduzieren.
Verlängern der Lebensdauer von Motorantrieben
Integrierte Anstiegsratensteuerung und mehrstufiger Schutz reduzieren die Motorerwärmung, maximieren den Wirkungsgrad und verbessern die Isolierung über die Lebensdauer eines Motors. Auf Hochleistungen und Langlebigkeit ausgelegt.
Für einen leisen und gleichmäßigen Motorbetrieb
Erzielen Sie mit der GaN-Technologie von TI einen leiseren Betrieb und ein gleichmäßigeres Drehmoment durch höhere Schaltfrequenzen, geringe Ausbreitungsverzögerung und minimierte Stromoberschwingungen mit niedriger Totzeit.
Minimierung der Lösungsgröße um 50 %
Reduzieren Sie mit der GaN-Technologie den Platzbedarf Ihres Systems durch extrem hohe Leistungsdichte und die Reduzierung externer Systemkomponenten für kompaktere, effizientere Designs im Vergleich zu Silizium.
Vorgestellte Technologien
Einführung in GaN-IPMs
Intelligente Leistungsmodule (IPMs) aus Galliumnitrid (GaN) ermöglichen eine höhere Leistungsdichte und Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (metal-oxide semiconductor field-effect transistors, MOSFETs) aus Silizium und Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (insulated gate bipolar transistors, IGBTs).
Vorteile:
- >Ein Wirkungsgrad von 99 % in der Leistungsstufe macht Kühlkomponenten wie Kühlkörper überflüssig, wodurch der Gesamtwirkungsgrad verbessert und die Größe des Motortreibersystems reduziert wird.
- <150 ns Totzeit und Ausbreitungsverzögerung in Verbindung mit höheren Schaltfrequenzen der Pulsweitenmodulation reduzieren die Stromverzerrung, um die akustische Leistung zu verbessern.
How Three-Phase Integrated GaN Technology Maximizes Motor-Drive Performance
Effiziente GaN-IPMs
Einführung in GaN-Halbbrücken
Halbbrücken-Leistungsstufen aus Galliumnitrid (GaN) bieten eine überragende Leistungsdichte und einen kompakteren Platzbedarf im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs.
Vorteile:
- Mit Halbbrücken-Leistungsstufen aus GaN die Platinengröße um über 50 % reduzieren.
- Die Leistungsverluste bei hohen Schaltfrequenzen (100 kHz) um bis zu 50 % reduzieren.
- Den Einsatz von Keramikkondensatoren ermöglichen und dadurch Zuverlässigkeit und Leistung verbessern.