Zener-Dioden

Spannungsklemmung und -regelung für jedes System

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Unsere leckstromarmen Zenerdioden, entwickelt für Spannungsklemmung und -regelung, ermöglichen den normalen Betrieb komplexer Systeme mit geringem Stromverbrauch. Unser Portfolio vom Commercial and Automotive Electronics Council (AEC)-Q101 umfasst eine Vielzahl von Spannungsbereichen und Industriestandard-Gehäusen.

Neue Produkte

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BZX884C18V-Q1
NEW
Zener-Dioden
BZX884C18V-Q1 AKTIV

18-V-Zenerdiode für die Automobilindustrie im 0402-Gehäuse

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.032

BZX884C18V
NEW
Zener-Dioden
BZX884C18V AKTIV

Zener-Diode, 18 V, im 0402-Gehäuse

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.026

BZX884C16V-Q1
NEW
Zener-Dioden
BZX884C16V-Q1 AKTIV

16-V-Zenerdiode für die Automobilindustrie im 0402-Gehäuse

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.032

BZX884C16V
NEW
Zener-Dioden
BZX884C16V AKTIV

Zener-Diode, 16 V, im 0402-Gehäuse

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.026

BZX884C27V-Q1
NEW
Zener-Dioden
BZX884C27V-Q1 AKTIV

Automotive 27V Zener diode in 0402 package

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.032

BZX884C27V
NEW
Zener-Dioden
BZX884C27V AKTIV

27V Zener diode in 0402 package

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.026

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Entdecken Sie das breite Anwendungsspektrum von Zener-Dioden

Gehäuse nach Industriestandard mit bis zu 430 Milliwatt Verlustleistung

Die Gehäuseoptionen unserer Zener-Dioden umfassen Small-Outline-Transistor-(SOT)-23 und Small-Outline-Diode-(SOD)-523, jede mit spezifischen Vorteilen und Platzbedarf.

 

Vorteile:

• Der SOT-23-Gehäusetyp verfügt über eine Verlustleistung von 430 mW und eignet sich für Hochleistungsanwendungen.

• SOT- und SOD-Gehäuse bieten Flexibilität beim Leiterplattendesign und dem Platinenlayout.

parametric-filter SOT-23-Zenerdioden, 430 mW parametric-filter SC-70-Zener-Dioden, 360 mW
Application brief
Why Use TI Zener Diodes for High Power Applications
Erfahren Sie mehr über unser Portfolio an hochleistungsfähigen SOT-23-Zenerdioden für Anwendungen, bei denen die Verlustleistung Priorität hat.
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Application note
ESD Packaging and Layout Guide (Rev. B)
Dieser Anwendungshinweis behandelt die verschiedenen Designüberlegungen bei der Auswahl von oberflächenmontierten Gehäusen.
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Vorgestellte Produkte für Hochleistungs-Zener-Dioden
BZX84C15V AKTIV Zener-Diode, 15 V, im SOT-23-Gehäuse
SZMM5Z8V2-Q1 VORSCHAU Universelle 8,2-V-Zenerdiode im SOD-523-Gehäuse für Automobilanwendungen
BZX84WC27V AKTIV Zener-Diode, 27 V, im SC-70-Gehäuse

Vielseitiger Schaltkreisschutz

Unsere MMBZ-Dioden sind für elektrostatische Entladungen (Electrostatic Discharge, ESD) von ±30 kV ausgelegt und in SOT-23-Varianten sowohl für den kommerziellen als auch Automobilbereich erhältlich. Hierdurch eignen sie sich für ESD- und Überspannungsschutz in einer Vielzahl von Anwendungen. 

 

Vorteile:

• Die gemeinsame Anodenkonfiguration ermöglicht den unidirektionalen Zweikanal- oder bidirektionalen Einkanalbetrieb mit demselben Baustein.

• Die geringe Kapazität unterstützt den Schutz von Datenleitungen.

arrow-right Gemeinsame Anode arrow-right Gemeinsame Kathode
Vorgestellte Produkte für MMBZ-Dioden
Neu MMBZ27VAL-Q1 AKTIV Zener-Diode mit gemeinsamer Anode für die Automobilindustrie, 27 V, mit 30 kV ESD-Schutz, im SOT-23-
MMBZ30VCL AKTIV Zweikanaliger ESD-Schutz mit gemeinsamer Kathode mit in SOT-23
Neu MMBZ15VAL AKTIV Gängige Anoden-Zenerdiode mit 30-kV-ESD-Schutz im SOT-23-Gehäuse

Betrieb bei niedrigen Strömen

Das Rauschphänomen der Zener-Diode erfordert die Charakterisierung der Leistung von Zener-Dioden bei niedrigen Stromstärken, um eine stabile Spannungsregelung zu gewährleisten. Für Anwendungen mit niedrigem Betriebsstrom weisen unsere 8,2-V-Zenerdioden einen niedrigen Zener-Spannungsdrift im Teststrombereich von 50 µA bis 500 µA auf.

Vorteile:

• Kompakte Multisource-Gehäuseoptionen sparen im Vergleich zu integrierten Reglerschaltungen Platz auf der Leiterplatte und Materialkosten ein.

parametric-filter Rauscharme 8,2-V-Zenerdioden
Application brief
Low Noize Zeners
Erfahren Sie, wie unsere 8,2-V-Zenerdioden einen niedrigen Zener-Spannungsdrift erreichen, die sie ideal für Anwendungen mit niedrigen Strömen macht.
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Application note
Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D)
Lernen Sie herkömmliche und neuartige thermische Metriken verschiedener Gehäuse kennen und erfahren Sie, wie diese Eigenschaften bei der Entwicklung für verschiedene Anwendungen zu berücksichtigen sind.
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Vorgestellte Produkte für Rauscharme Zener-Dioden
SZMM5Z8V2-Q1 VORSCHAU Universelle 8,2-V-Zenerdiode im SOD-523-Gehäuse für Automobilanwendungen
BZX84C8V2-Q1 AKTIV 8,2-V-Zenerdiode für die Automobilindustrie im SOT-23-Gehäuse
BZX84WC8V2-Q1 AKTIV 8,2-V-Zenerdiode für die Automobilindustrie im SC-70-Gehäuse

Technische Ressourcen

Application brief
Application brief
Low Noize Zeners
Diese Anwendungsbeschreibung behandelt den Einsatz unserer 8,2-V-Zenerdioden in Niederstromanwendungen, insbesondere ihre Fähigkeit, einen niedrigen Zener-Spannungsdrift bei Testströmen im Mikroampere-Bereich zu erreichen.
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Application brief
Application brief
Why Use TI Zener Diodes for High Power Applications
Erfahren Sie mehr über die Zener-Dioden der BZX84C-Bausteinfamilie mit einer Verlustleistung von 430 Miliwatt in SOT-23-Gehäusen.
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Application note
Application note
Zener Diodes Introduction
Dieser Artikel vermittelt die grundlegende Funktionsweise einer Zenerdiode und enthält Informationen dazu, wie sie in Schaltkreisschutzanwendungen richtig eingesetzt wird und was sie im Vergleich zu anderen Schutzdesigns einzigartig macht.
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