Passiv und diskret
Entdecken Sie unser Portfolio passiver und diskreter Komponenten mit bewährter Zuverlässigkeit und Leistung
Unsere passiven und diskreten Komponenten bieten hohe Leistung in kleinen Gehäusen für eine Vielzahl von Anwendungen. Die Bausteine umfassen Schutzdioden, hochpräzise lineare Silizium-Thermistoren, extrem rauscharme Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, Festfrequenz-Oszillatoren und Präzisions-Dünnschichtwiderstände. Unsere technologischen Fortschritte tragen dazu bei, Ihr System zuverlässig zu schützen, die Designintegration zu verbessern, Funktionalität und Leistung zu erbringen und gleichzeitig die Größe und den Stromverbrauch der Lösung zu reduzieren.
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Vereinfachen Sie Ihren Designprozess mit unserer hochmodernen diskreten Technologie
Schützen Sie Ihr System zuverlässig vor elektrostatischer Entladung und Überspannung
Unser Portfolio an ESD-Dioden (elektrostatische Entladung), TVS-Dioden (Transientenspannungs-Unterdrücker) und Zener-Dioden umfasst mehrere Gehäuse- und Spannungsoptionen.
Vorteile:
- <0,5 pF-ESD-Dioden schützen Datenleitungen mit Geschwindigkeiten von bis zu 30 GHz und gewährleisten im Normalbetrieb Signalintegrität.
- Die Flat-Clamp-TVS-Technologie bietet eine zuverlässige Lösung zur Ableitung von Überspannungstransienten mit einer präzisen, flachen und temperaturunabhängigen Klemmspannung, die die Restspannung im geschützten System minimiert.
- Die für die Automobilindustrie geeigneten Bausteine des Portfolios erfüllen die strengen Normen für Systeme, die einen Schutz bis zu 30 kV erfordern.
Application note
Capacitance Requirements for High Speed Signals (Rev. A)
Dieser Anwendungshinweis befasst sich mit den kapazitiven Lasten von ESD-Schutzdioden für Hochgeschwindigkeitssignale.
Selection guide
System-Level ESD Protection Guide (Rev. D)
In diesem Auswahlleitfaden wird kurz erläutert, wie ESD-Bausteine von TI helfen können, katastrophale Systemausfälle durch ESD-Schläge zu vermeiden.
White paper
Flat-Clamp surge protection technology for efficient system protection
Erfahren Sie, wie und warum unsere Flat-Clamp-TVS-Dioden einen Überspannungsschutz bieten, der über den einer herkömmlichen TVS-Lösung hinausgeht.
Hochleistungsschaltungen mit SiCr-Dünnschicht-Widerstandsnetzwerken
Unsere Silizium-Chrom-Dünnschicht-Widerstandsnetzwerke verwenden Interdigitationstechniken, um eine hohe Element-zu-Element-Anpassung zu erreichen, und sind widerstandsfähig gegen Alterung und Temperaturbelastungen.
Vorteile:
- Dünnschicht-SiCr ermöglicht einen hohen Interdigitationsgrad bei kleinen Formfaktoren und bietet gleichzeitig ein geringeres Flicker-Rauschen als Dickschichtlösungen.
- Die On-Chip-Interdigitation ermöglicht die effektive Platzierung mehrerer Widerstände an der gleichen Stelle auf dem Wafer, wodurch sichergestellt wird, dass Variationen des Dünnschicht-Widerstandsmaterials auf dem Wafer alle Widerstände gleichermaßen betrifft.
- Abgestimmte Widerstände erreichen extrem niedrige ratiometrische Temperaturkoeffizienten mit einer typischen Drift von maximal 0,2 ppm/°C.
Erfahren Sie, wie integrierte Widerstandsteiler die Genauigkeit der Hochspannungsmessung in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge verbessern und so die Lebensdauer der Batterie verlängern können.
Application note
Optimizing CMRR in Differential Amplifier Circuits With Precision Matched Resist
Ein Einblick in die differenzielle Signalgebung und die Vorteile der Verwendung eines an das Verhältnis angepassten, präzisen Widerstandsnetzwerks für ein hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis.
Product overview
Navigating Precision Resistor Networks
Diese Produktübersicht für Präzisionswiderstandsnetzwerke umfasst Designüberlegungen, Beispielanwendungen und eine Erläuterung der Parameter, die für abgestimmte Widerstände relevant sind.
Rauscharme Sensoren und Audioschaltungen mit hoher Impedanz mit Burr-Brown™-JFETs
Diskrete JFETs (Sperrschicht-Feldeffekttransistoren) können ein wesentlich geringeres Rauschen bei vergleichsweise geringerem Stromverbrauch als integrierte Verstärker erreichen. Sie sind daher eine ausgezeichnete Wahl für induktive Sensoren, die Verstärker mit niedriger Spannung und geringem Stromrauschen erfordern.
Vorteile:
- Extrem geringes Breitband-Spannungsrauschen, ähnlich wie bei bipolaren Sperrschichttransistoren, jedoch mit dem zusätzlichen Vorteil eines extrem geringen Stromrauschens.
- Optionen für einkanalige Flexibilität und zweikanalige Anpassung.
- Zwei JFETs, die monolithisch auf demselben Die gefertigt werden, passen viel besser zueinander als einzelne Transistoren, wodurch DC-Offsets in Schaltungen mit hoher Verstärkung vermieden werden.
Application brief
Ultra-Low-Noise JFET Preamplifier Design for High Impedance Sensors
Entdecken Sie extrem rauscharme JFET-Vorverstärkerdesigns für Sensoren mit hoher Impedanz und vergleichen Sie Topologien, um Stromverbrauch und Rauschverhalten bei unterschiedlichen Quellimpedanzen auszugleichen.
Application brief
Trade-offs Between CMOS, JFET, and Bipolar Input Stage Technology
Erfahren Sie, wie Sie zwischen CMOS-, JFET- und bipolaren Operationsverstärkertechnologien unterscheiden. Dabei muss in erster Linie zwischen Rauschen, Eingangsimpedanz, Offset und Drift abgewogen werden, um die Auswahl von Bausteinen für rauscharme Anwendungen zu erleichtern.
Application note
JFE2140 Ultra-Low-Noise Pre-Amplifier
Erfahren Sie, wie Sie JFETs und Operationsverstärker in zusammengesetzten Verstärkern verwenden, um kleine Signale von Sensoren mit hoher Impedanz zu verstärken, wobei der Schwerpunkt auf Stabilität und Rauschunterdrückung in Audioanwendungen liegt.
Erreichen Sie eine exakte Temperaturüberwachung bei gleichzeitiger Reduzierung der Systemkomplexität
Lineare Thermistoren auf Siliziumbasis bieten eine hohe Empfindlichkeit über den gesamten Temperaturbereich und verbessern so die Leistung und Zuverlässigkeit.
Vorteile:
- Eliminieren Sie Linearisierungsschaltungen oder hardwarebasierte Widerstands-Kondensatorfilter.
- Führen Sie schnellere und genauere Softwareumwandlungen als NTC-Thermistoren (negativer Temperaturkoeffizient) durch, während Sie gleichzeitig den Speicherbedarf verringern.
- Erzielen Sie ohne Mehrpunktkalibrierung eine bis zu 50 % höhere Genauigkeit als NTC-Thermistoren.
- Ermöglichen Sie um fast 300 % schnellere Reaktionszeiten und höhere Empfindlichkeit bei höheren Temperaturen aufgrund einer geringeren thermischen Masse.
- Das Portfolio umfasst funktionssicherheitsfähige Bausteine von TI und eine Dokumentation zur Ausfallraten-/Ausfallmodusverteilung.
- Eine geringe Eigenerwärmung minimiert die langfristige Sensordrift.
User guide
NTC Thermistor to TMP6 Linear Thermistor Replacement Guide
In diesem Benutzerhandbuch werden Überlegungen zum Hardware- und Softwaredesign für die Umwandlung von NTC-Thermistorsystemen in lineare Thermistorsysteme auf Siliziumbasis angestellt.
Application note
Achieve ±1°C Accuracy or Better Across Temp. W/Low-Cost TMP6x Linear Thermistors
Dieser Anwendungshinweis enthält Schritte und Pseudocode zur Erzielung einer höheren Genauigkeit bei linearen TMP6x-Thermistoren auf Siliziumbasis. Im Gegensatz zu NTCs kann mit nur einer Einpunktkalibrierung bei jeder Temperatur eine höhere Genauigkeit erzielt werden.
Ressource
TMP6-Thermistor-Designtools
Dieses Designtool bietet Nachschlagetabellen, Leistungsvergleiche und Codebeispiele für den Einstieg in das Design mit linearen TMP6-Thermistoren.
Nutzen Sie die Vorteile der BAW-Technologie in unseren Oszillatoren
BAW-Resonatoren (Bulk Acoustic Wave) bieten eine deutliche Optimierung gegenüber bestehenden Quarz- und Mikro-elektromechanischen Resonatortechnologien. Unser Portfolio umfasst Oszillatoren mit Frequenzen von 1 MHz bis 400 MHz, Gehäuse nach Industriestandard, einen geringen Stromverbrauch und einen großen Versorgungsspannungsbereich.
Vorteile:
- Quarzoszillatoren auf BAW-Basis bieten eine hohe Zuverlässigkeit, auch bei Vibrationen und Stößen, eine hohe durchschnittliche Zeit zwischen Ausfällen (MTBF) und Temperaturstabilität und sind widerstandsfähig gegen Alterung und Umgebungsfaktoren.
- Erreicht weniger als 100 fs des Root-Mean-Square-Jitter.
- Es sind keine Änderungen am Design oder Platinenlayout erforderlich, um Quarzoszillatoren durch BAW-Oszillatoren zu ersetzen.
Application note
Eigenständige BAW-Oszillatoren – Vorteile gegenüber Quarzoszillatoren
In diesem Anwendungsbericht stellen wir BAW-Technologie von TI vor und beschreiben die Integration eines BAW-Resonators mit Oszillatorschaltung in einen eigenständigen Oszillator sowie die Vorteile der Verwendung von BAW-Oszillatoren gegenüber Quarzoszillatoren.
Application note
Vibration and Mechanical Shock Performance of TI BAW Oscillators
Dieses Dokument enthält detaillierte Angaben zur Leistung von BAW-Oszillatoren unter strengen sinusförmigen, zufälligen Vibrationen und mechanischen Stoßbedingungen und beschreibt verschiedene Testmethoden gemäß Military Standard 883 sowie Testkonfigurationen und Leistungsdaten.
Application note
High Reliable BAW Oscillator MTBF and FIT Rate Calculations
Dieses Dokument enthält Berechnungen und Ergebnisse für MTBF- und FIT-Werte, um die beste MTBF für BAW-Oszillatoren zu erreichen. Außerdem wird das Verfahren für diese Berechnungen beschrieben.
Vorgestellte Produkte für Oszillatoren
Technische Ressourcen
Product overview
Navigating Precision Resistor Networks
Dieses Dokument bietet einen detaillierten Überblick über Präzisionswiderstandsnetzwerke mit Schwerpunkt auf abgestimmten Widerstandspaaren, ihren Konfigurationen, Verhältnissen und Anwendungen, insbesondere in Verstärkern.
Videoreihe
Erste Schritte im Schnittstellenschutz
Auf dieser Schulungsseite finden Sie mehrere kurze Videos mit Designüberlegungen zum Schutz gegen elektrostatische Entladung und Überspannung. Die Module behandeln jeweils ein Kapitel und ermöglichen das Lernen in Ihrem eigenen Tempo.
Application note
Eigenständige BAW-Oszillatoren – Vorteile gegenüber Quarzoszillatoren
Erfahren Sie mehr über die Vorteile von BAW-Oszillatoren gegenüber Quarzoszillatoren, darunter erhöhte Flexibilität sowie verbesserte Temperaturstabilität und Jitter-Leistung.