MOSFETs

Liefert niedrige Gate-Ladung und geringen Widerstand für schnell schaltende Transistoren

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Die NexFET™-MOSFETs von TI bieten eine breite Palette von N-Kanal- und P-Kanal-Leistungsmodulen und diskreten Stromversorgungslösungen. Unsere hochintegrierten MOSFETs unterstützen höhere Wirkungsgrade, längere Batterielebensdauer, höhere Leistungsdichte und höhere Frequenzen für schnelles Schalten. Diese Vorteile bieten Designflexibilität in kleinen Formfaktoren und ermöglichen es Entwicklungsingenieuren, die Markteinführungszeit zu verkürzen. 

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N-Kanal-MOSFETs

40-V bis 100-V Max BVDSS
FemtoFET™-MOSFETs

Ideal, um Platz zu sparen und die Batterielebensdauer zu verlängern.

P-Kanal-MOSFETs

FemtoFET™-MOSFETs

Ideal, um Platz zu sparen und die Batterielebensdauer zu verlängern.

Power-Blocks

Power-Blocks zur Stromversorgung

Unsere Power-Blocks integrieren zwei MOSFETs in ein einziges PowerStack™-Gehäuse, wodurch parasitäre Induktivitäten eliminiert und die Effizienz verbessert werden.

Power-Blocks zur Motorsteuerung

Unser DualCool™-Gehäuse verringert den Platzbedarf auf der Platine um 50 % und ermöglicht eine hohe Strombelastbarkeit bei extrem niedrigem Widerstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.

Unterstützte MOSFETs:

Mehr über MOSFETs erfahren

Die nicht geklemmte induktive Schaltleistung (UIS) hat sich als nützlicher Parameter erwiesen, seit sie Mitte der 1980er Jahre in MOSFET-Datenblättern vorgestellt wurde. Während das wiederholte Avalanchen des FET in tatsächlichen Anwendungen nicht empfohlen wird, haben Ingenieure gelernt, diese Metrik zu verwenden, um zu vermeiden, dass schwächere Geräte eingebaut werden, die Probleme verursachen könnten.

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MOSFET Support and Training Tools (Rev. F)
Erkunden Sie unser umfassendes Angebot an Literatur und Tools für die Unterstützung Ihrer Leistungs-MOSFET-Designs.
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Videoreihe
MOSFET 101
Erfahren Sie mehr über die grundlegenden Tipps und Tricks zur Auswahl und Konstruktion mit einem MOSFET, um schneller auf den Markt zu kommen.
Technical article
Understanding MOSFET data sheets, Part 1 - UIS/avalanche ratings
Informationen zur Interpretation der UIS/Avalanche-Festigkeit finden Sie auf einem MOSFET-Datenblatt.
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Der MOSFET SOA kann anhand von 5 verschiedenen Beschränkungen verwendet werden: Widerstand, Strom, maximale Leistung, thermische Instabilität und MOSFET-Spannung. Informationen zur Interpretation von SOA-Kurven finden Sie auf einem MOSFET-Datenblatt.

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MOSFET Support and Training Tools (Rev. F)
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MOSFET 101
Erfahren Sie mehr über die grundlegenden Tipps und Tricks zur Auswahl und Konstruktion mit einem MOSFET, um schneller auf den Markt zu kommen.
Technical article
Understanding MOSFET data sheets, Part 2 - Safe operating area (SOA) graph
Informationen zur Interpretation von SOA-Kurven finden Sie auf einem MOSFET-Datenblatt.
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Erfahren Sie, dass MOSFET-Stromwerte nicht so gemessen werden, wie Parameter wie RDS(ON)und Gate-Ladung. Sie werden berechnet und man kann auf verschiedene Arten zu einem Ergebnis kommen. 

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MOSFET Support and Training Tools (Rev. F)
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MOSFET 101
Erfahren Sie mehr über die grundlegenden Tipps und Tricks zur Auswahl und Konstruktion mit einem MOSFET, um schneller auf den Markt zu kommen.
Technical article
Understanding MOSFET data sheets, Part 3 - Continuous current ratings
Erfahren Sie, dass MOSFET-Stromwerte nicht so gemessen werden, wie Parameter wie RDS(ON)und Gate-Ladung. Sie werden berechnet und man kann auf verschiedene Arten zu einem Ergebnis kommen.
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Informationen zu anderen Schaltparametern, die im MOSFET Datenblatt auftreten und ihre Bedeutung (oder fehlende Bedeutung) im Bezug auf die Geräteleistung.

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MOSFET Support and Training Tools (Rev. F)
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MOSFET 101
Erfahren Sie mehr über die grundlegenden Tipps und Tricks zur Auswahl und Konstruktion mit einem MOSFET, um schneller auf den Markt zu kommen.
Technical article
Understanding MOSFET data sheets, Part 5 – Switching Parameters
Informationen zu anderen Schaltparametern, die im MOSFET Datenblatt auftreten und ihre Bedeutung (oder fehlende Bedeutung) im Bezug auf die Geräteleistung.
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Die Leistung eines MOSFET im Schaltkreis hängt stark von der thermischen Leistung des Bausteins ab.

Erfahren Sie mehr zu Parametern der gesamten transienten Wärmeimpedanz und der inneren transienten Wärmeimpedanz auf einem FET-Datenblatt. Hier erfahren Sie auch, wie diese Werte abgeleitet werden.

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MOSFET Support and Training Tools (Rev. F)
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MOSFET 101
Erfahren Sie mehr über die grundlegenden Tipps und Tricks zur Auswahl und Konstruktion mit einem MOSFET, um schneller auf den Markt zu kommen.
Technical article
Understanding MOSFET data sheets, part 6 – thermal impedance
Informationen zu Parametern der gesamten transienten Wärmeimpedanz und der inneren transienten Wärmeimpedanz finden Sie auf einem FET-Datenblatt.
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Erfahren Sie, wie Sie ganz schnell Größe, Kosten und Leistung abwägen können, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen. Ein Experte für TI-MOSFET-Anwendungen erläutert ein Beispiel für die vielen anwendungsbasierten MOSFET-Leistungsverlust-Tools.

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MOSFET Support and Training Tools (Rev. F)
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Technische Ressourcen

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Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
Dieser Anwendungshinweis erörtert die Ursache des Schalterknoten-Überschwingens, Messverfahren zur genauen Charakterisierung dieses Überschwingens sowie Methoden zum Minimieren der Auswirkungen unter Beibehaltung einer ausgezeichneten Systemleistung.
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Technischer Artikel
Technischer Artikel
Was scheint im Datenblatt des Leistungs-MOSFETs nicht auf, Teil 1: Temperaturabhängigkeit
Erfahren Sie mehr darüber, was in einem MOSFET-Datenblatt enthalten ist und was noch wichtiger ist: Was nicht.

Design- & Entwicklungsressourcen

Berechnungstool
MOSFET-Leistungsverlustberechnung für synchrone Abwärtswandleranwendungen
Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
Berechnungstool
MOSFET-Leistungsverlustberechnung für Motorantriebanwendungen
This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
Berechnungstool
MOSFET-Leistungsverlustberechnung für Lastschalteranwendungen
Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.

Referenzdesigns für MOSFETs

Mit unserem Referenzdesign-Auswahltool können Sie die für Ihre Anwendung und Ihre Parameter am besten geeigneten Designs finden.