Entfesseln Sie die Kraft der Hochspannung.

Erzielen Sie mit unseren Hochspannungstechnologien die zuverlässigste Lösung für Ihre Inverter- und Motorsteuerungssysteme.

Vorteile:

• Verbessern Sie die Effizienz auf Systemebene und überwachen Sie die Fehlerzustände mit isolierten Gate-Treibern für IGBT- und SiC-FETs.
• Ermöglichen Sie neue Architekturen, erhöhen Sie die Reichweite und verbessern Sie die Leistungsdichte mit Hochleistungs-Echtzeit-Mikrocontrollern.
• Optimieren Sie die Systemkosten und die Funktionssicherheit mit Bias-Stromversorgungslösungen.
• Präzise Messung von Strom und Spannung für verbesserte Systemeffizienz, Zuverlässigkeit und Leistung mit unseren Sensorlösungen. 

Helfen Sie beim Aufbau einer nachhaltigeren Zukunft – mit zuverlässigen Solarenergie- und Speichersystemen, die von unserer Hochspannungs-Stromwandlung sowie unseren Strom- und Spannungserfassungstechnologien unterstützt werden.

Vorteile:

• Verbessern Sie die Leistungsdichte mit unserem Portfolio an GaN-FETs, SiC- und IGBT-Gate-Treibern und Bias-Stromversorgungen zusammen mit fortschrittlichen Echtzeit-Steuerungs-Mikrocontrollern.
• Erzielen Sie eine schnelle und genaue Stromerfassung, um die Anforderungen an Regelkreise, Lichtbogenerkennung und Isolierung zu erfüllen. 

Bewältigen Sie die Herausforderungen, die sich auf die weit verbreitete Einführung von Elektrofahrzeugen (EVS) auswirken, mit BMS-Lösungen, die technologische Innovationen bei den kritischsten BMS-Funktionen wie Strom- und Spannungsmessung und Isolationsüberwachung nutzen.

Vorteile:

• Ermöglichen Sie genaue Strom- und Spannungsmessungen, um die Sicherheit des Akkupackeinsatzes bei Batteriemonitoren und Balancern effektiv zu gewährleisten.
• Gewährleisten Sie branchenführende Zuverlässigkeit mit Halbleiterrelais, verbessern Sie die Effektivität der 800-V-EV-BMS-Sicherheit und reduzieren Sie die Systemgröße und -kosten um bis zu 50 %. 

Beflügeln Sie die Zukunft der Elektrifizierung mit Designs, die die Kosten von DC-Ladestationen und Wallboxen senken und gleichzeitig die Sicherheit und die Benutzererfahrung verbessern.

Vorteile:

• Arbeiten Sie mit Ihren bevorzugten ICs mit großer Bandlücke – mit unserem Portfolio an Galliumnitrid (GaN)-FETs, SiC- und IGBT-Gate-Treibern und isolierten Bias-Stromversorgungen.
• Erhöhen Sie die Leistungsdichte im Vergleich zu IGBT-basierten Lösungen, und reduzieren Sie mit der GaN-Technologie die Abmessungen von DC-Wallboxen.
• Nutzen Sie die branchenführende Strom- und Spannungssensortechnologie für eine zuverlässigere Datenübertragung über Spannungsbereiche hinweg.  

Erstellen Sie mit unserem Portfolio an Hochspannungs-Stromwandlungs- und Echtzeit-Steuerungstechnologien mit niedriger Latenz energieeffizientere und gut geschützte Stromversorgungsdesigns mit höherer Zuverlässigkeit und Leistungsdichte.

Vorteile:

• Erreichen Sie mit unserer GaN-Technologie mehr als 80 Plus® Titanium mit 96,5 % Energieeffizienz.
• Reduzieren Sie mit unseren integrierten Gate-Treibern parasitäre Verluste und erleichtern Sie Designs auf Systemebene.