10 改訂履歴
Changes from August 18, 2023 to December 13, 2024 (from Revision A (August 2023) to Revision B (DECEMBER 2024))
- (特長):「ディスプレイ サブシステムのサポート」の下にある「OLDI/LVDS (4 レーン - 2x) および 24 ビット RGB パラレル インターフェイス」の箇条書き項目を削除Go
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グローバル:該当する場合、PMIC_WAKE0 および PMIC_WAKE1 信号の「(アクティブLOW)」および検証済み「O」ピン タイプを追加。信号およびボールの名前から接尾辞「n」を削除Go
- (特長):CSI2.0 の箇条書き項目を更新 / 変更し副項目を追加Go
- (ピン属性):ピン属性のヘッダー リストに、各列のヘッダーの説明を追加Go
- (ピン属性):「ピン属性 (ALZ パッケージ)」表の MMC0_* ピンの「リセット時のボール状態」と「リセット後のボール状態」の情報を追加Go
- (VMON 信号の説明):VMON2_IR_VCPU 信号名の説明を更新 / 変更Go
- (CSI2/DSI D-PHY の電気的特性):表を削除し、コンプライアンス仕様の注記を追加Go
- (SERDES の電気的特性):IEEE 802.3 の 72-7 項および附属書 69B への準拠を示すため、USXGMII の注を追加Go
- (OTP eFuse プログラミングの ROC):従来の PMIC 型番を脚注から削除Go
- (OTP eFuse プログラミングの推奨動作条件):パワーアップ時にのみ適用されるこのパラメータに関連する制限を明確化するため、VPP のパワーアップ スルーレート、SR(VPP) パラメータを追加Go
- (MCU およびメイン ドメインの結合パワーアップ シーケンシング):「VDD_MCU は…デジタル電圧ドメインであり…」で始まる注を更新、VDD_MCU のグループ化とシーケンスの制約を明確化。Go
- (MCU およびメイン ドメインの分離パワーアップ シーケンシング):「VDD_MCU は…デジタル電圧ドメインであり…」で始まる注を更新、VDD_MCU のグループ化とシーケンスの制約を明確化。Go
- (WKUP_OSC0 内部発振器クロック ソース):WKUP_OSC0 水晶振動子の電気的特性表にある水晶振動子回路のシャント容量、Cshunt の内容を更新 / 変更
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- (WKUP_OSC0 内部発振器クロック ソース):水晶振動子回路のシャント容量、Cshunt のパラメータの選択に基づいて、水晶振動子の実効直列抵抗、ESRxtal の最大値を定義するための脚注を追加Go
- (WKUP_OSC0 のスイッチング特性 – 水晶振動子モード [表]):XI、XO、および XI から XO への容量の最大値を更新 / 変更Go
- (補助 OSC1 内部発振器クロック ソース):OSC1 水晶振動子の電気的特性表にある水晶振動子回路のシャント容量、Cshunt の内容を更新 / 変更
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- (OSC1 のスイッチング特性 – 水晶振動子モード [表]):XI、XO、XI から XO 容量の最大値の表の値を更新 / 変更Go
- (GPIO):TRM と信号の説明の参照のみでリードインの内容を更新 / 変更Go
- (GPIO):「GPIO タイミング条件」の表で、SRI、入力スルーレート、I2C OD FS の最大値を「0.8」から「0.08」V/nsに更新/変更Go
- (HyperBus):出力条件の「HyperBus のタイミング条件」表に、CL、出力負荷容量の最小値と最大値を追加Go
- (I2C のタイミング):I2C 信号の箇条書き項目の立ち上がりおよび立ち下がり時間について、スルーレートの誤字を「0.8」から「0.08」V/ns に更新/変更 (規定されている 8E+7 の値に相当)
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- (MCSPI のタイミング要件 - コントローラ モード):SM1、tc(spiclk)、サイクル時間、SPI_CLK の最小値を「20.8」から「20」ns に更新 / 変更Go
- (MCSPI のスイッチング特性 - ペリフェラル モード):SS1、tc(spiclk)、サイクル時間、SPI_CLK の最小値を「20.8」から「20」ns に更新 / 変更Go
- (MMC0 のタイミング要件 – HS400 モード):新しい表とそれに関連するタイミング画像を追加Go
- (MMC0 のスイッチング特性 – HS400 モード):遅延時間パラメータ HS4008 および HS4009 を、出力セットアップおよび出力ホールド パラメータ HS4008、HS4009、HS40010、HS40011 に置き換えGo
- (eMMC in – HS400 モード – 送信モード):パラメータ HS4008、HS4009、HS40010、HS40011 に関連する新しい定義に合わせてタイミング図を更新Go
- (MMC1/2 - SD/SDIO インターフェイス /UHS–I DDR50 モード):fop(clk)、動作周波数、MMC[x]_CLK の最大値を「40」から「50」MHz に更新 / 変更Go
- (MMC1/2 - SD/SDIO インターフェイス /UHS–I DDR50 モード):DDR505、tc(clk)、サイクル時間、MMC[x]_CLK の最小値を「25」から「20」ns に更新 / 変更Go
- (OSPI のタイミング条件):表に、入力スルーレート 1.8V、DQS 付き PHY データトレーニング DDR の行を追加Go
- (OSPI のタイミング条件):「3.3V」および「他のすべてのモード」のモード説明を更新Go
- (PHY データ トレーニング付き OSPI0/1):新しいセクションを追加Go
- (OSPI のスイッチング特性 - PHY SDR モード):タイミング パラメータ O10 および O11 に関連する式を訂正Go
- (OSPI のスイッチング特性 - PHY DDR モード):タイミング パラメータ O4 および O5 に関連する式を訂正Go
- (OSPI0/1 のタイミング要件 – タップ SDR モード):O19 および O20 パラメータのセットアップ時間とホールド時間の最小値の式に関連する定数値を更新 / 変更。Go
- (OSPI0/1 のタイミング要件 – タップ SDR モード):テクニカル リファレンス マニュアル (TRM) で使用されているクロック名に合わせて、R = の脚注「refclk」を「リファレンス クロック」に更新 / 変更Go
- (OSPI0/1 のタイミング要件 – タップ DDR モード):O13 および O14 パラメータのセットアップ時間とホールド時間の最小値の式に関連する定数値を更新 / 変更。Go
- (OSPI0/1 のタイミング要件 – タップ DDR モード):テクニカル リファレンス マニュアル (TRM) で使用されているクロック名に合わせて、R = の脚注「refclk」を「リファレンス クロック」に更新 / 変更Go
- (OSPI0/1 のスイッチング特性 – タップ DDR モード):O6 パラメータのデータ出力遅延の最小値および最大値の式を更新 / 変更。Go
- (電源供給回路の実装ガイド):ユーザー ガイドのドキュメントのタイトルと ulink の関連付けを更新 / 変更Go
- (VMON/POK を使用したシステム電源監視の設計ガイドライン):「VMON2_IR_VCPU ピン…」の段落を更新 / 変更Go