JAJSDB6B June 2017 – June 2018 AMC1303E0510 , AMC1303E0520 , AMC1303E2510 , AMC1303E2520 , AMC1303M0510 , AMC1303M0520 , AMC1303M2510 , AMC1303M2520
PRODUCTION DATA.
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
Figure 55に示すように、組み込みの差動アンプの出力は、内部的に同相電圧の1.9Vにバイアスしています。この電圧から、アンプのゲインの設定に使用される抵抗性ネットワークR4およびR5 (またはR4'およびR5')を通過するバイアス電流IIBが発生します。この電流の値の範囲は、「電気的特性」表に記載されています。このバイアス電流により、追加のオフセット誤差が発生し、その量は抵抗R3の値に依存します。このバイアス電流の値は、(Figure 56に示すように)入力信号の実際の同相振幅に依存するため、初期のシステム・オフセット較正では、その影響を最小化できません。したがって、高い精度が要求されるシステムでは、バイアス電流の影響を除去するため、AMC1303デバイスの負の入力(AINN)に、シャント抵抗R3と同じ値(すなわち、Figure 55でR3' = R3)の直列抵抗を使用することをお勧めします。
この追加の直列抵抗(R3')は、回路のゲイン誤差に影響を及ぼします。その影響は、Equation 5で計算され、AMC1303x25xの場合はR5 = R5' = 50kΩ、R4 = R4' = 12.5kΩです。