JAJSPD2 march   2023 AMC23C15-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  絶縁仕様
    7. 6.7  安全関連認証
    8. 6.8  安全限界値
    9. 6.9  電気的特性
    10. 6.10 スイッチング特性
    11. 6.11 タイミング図
    12. 6.12 絶縁特性曲線
    13. 6.13 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 アナログ入力
      2. 7.3.2 リファレンス入力
      3. 7.3.3 絶縁チャネルの信号伝送
      4. 7.3.4 オープン・ドレイン・デジタル出力
      5. 7.3.5 パワーアップ動作とパワーダウン動作
      6. 7.3.6 VDD1 のブラウンアウトおよび電源喪失時の動作
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 過電流および短絡電流の検出
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 8.2.2 アプリケーション曲線
    3. 8.3 設計のベスト・プラクティス
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.5.2 レイアウト例
  9. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  10. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) DWV (SOIC) 単位
8 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 102.8 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 45.1 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 63.0 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への熱特性パラメータ 14.3 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への熱特性パラメータ 61.1 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 n/a ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。