JAJSMA5D June   2021  – July 2025 BUF802

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 広帯域モードの電気的特性
    6. 5.6 低静止電流モードの電気的特性
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 入力および出力過電圧クランプ
      2. 7.3.2 調整可能な静止電流
      3. 7.3.3 ESD 構造
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 バッファ モード (BF モード)
      2. 7.4.2 コンポジット ループ モード (CL モード)
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 オシロスコープのフロント エンド アンプの設計
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 広帯域幅 50Ω 入力シグナル チェーンを高入力インピーダンスに変換
        1. 8.2.2.1 詳細な設計手順
        2. 8.2.2.2 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.7 代表的特性

TA = 25°C、VS = ±6V、RL = 100Ω || 400fF、RS = 25Ω、VOCM = 0V (中電圧)、CLH および CLL をそれぞれ VS+ および VS– に接続、R_Bias = 17.8kΩ、広帯域幅モード (特に記述のない限り)

BUF802 周波数応答と出力電圧との関係
広帯域幅モード
図 5-1 周波数応答と出力電圧との関係
BUF802 周波数応答と出力電圧との関係、0.1dB 平坦度
広帯域幅モード
図 5-3 周波数応答と出力電圧との関係、
0.1dB 平坦度
BUF802 周波数応答と出力負荷との関係
 
図 5-5 周波数応答と出力負荷との関係
BUF802 周波数応答と容量性負荷との関係
 
図 5-7 周波数応答と容量性負荷との関係
BUF802 大信号過渡応答
立ち上がりエッジ、VOUT = 1.2VPP
図 5-9 大信号過渡応答
BUF802 小信号過渡応答
立ち上がりエッジ、VOUT = 250mVPP
図 5-11 小信号過渡応答
BUF802 高調波歪みと周波数との関係
VOUT = 1VPP
図 5-13 高調波歪みと周波数との関係
BUF802 高調波歪みと電源電圧との関係
f = 500MHz
図 5-15 高調波歪みと電源電圧との関係
BUF802 高調波歪みと出力電圧との関係
f = 1GHz
図 5-17 高調波歪みと出力電圧との関係
BUF802 電圧ノイズ密度と周波数との関係
 
図 5-19 電圧ノイズ密度と周波数との関係
BUF802 補助パスの周波数応答
2kΩ の RC ポールと 10pF を IN_Aux ピンに配置
図 5-21 補助パスの周波数応答
BUF802 出力インピーダンス 対 周波数
 
図 5-23 出力インピーダンス 対 周波数
BUF802 入力バイアス電流と温度との関係
40 ユニット
図 5-25 入力バイアス電流と温度との関係
BUF802 静止電流と温度との関係
広帯域幅モードと低静止電流 (IQ) モード
図 5-27 静止電流と温度との関係
BUF802 DC ゲインと温度との関係
25°C 値、40 ユニットに正規化
図 5-29 DC ゲインと温度との関係
BUF802 オフセット電圧と温度との関係
25°C 値、40 ユニットに正規化
図 5-31 オフセット電圧と温度との関係
BUF802 クランプ電圧誤差のヒストグラム
 
図 5-33 クランプ電圧誤差のヒストグラム
BUF802 周波数応答と出力電圧との関係
低静止電流モード
図 5-2 周波数応答と出力電圧との関係
BUF802 周波数応答と電源電圧との関係
 
図 5-4 周波数応答と電源電圧との関係
BUF802 周波数応答と R_Bias 抵抗との関係
 
図 5-6 周波数応答と R_Bias 抵抗との関係
BUF802 推奨 RISO による周波数応答と容量性負荷との関係
 
図 5-8 推奨 RISO による周波数応答と容量性負荷との関係
BUF802 大信号過渡応答
立ち下がりエッジ、VOUT = 1.2VPP
図 5-10 大信号過渡応答
BUF802 小信号過渡応答
立ち下がりエッジ、VOUT = 250mVPP
図 5-12 小信号過渡応答
BUF802 高調波歪みと周波数との関係
VOUT = 2VPP
図 5-14 高調波歪みと周波数との関係
BUF802 高調波歪みと出力同相電圧との関係
 
図 5-16 高調波歪みと出力同相電圧との関係
BUF802 高調波歪みと出力負荷との関係
f = 1GHz
図 5-18 高調波歪みと出力負荷との関係
BUF802 電流ノイズ密度と周波数との関係
 
図 5-20 電流ノイズ密度と周波数との関係
BUF802 入力インピーダンスと周波数との関係
 
図 5-22 入力インピーダンスと周波数との関係
BUF802 入力バイアス電流の分布
µ = 3.1pA、σ = 1.03pA
図 5-24 入力バイアス電流の分布
BUF802 入力バイアス電流と入力同相電圧との関係
 
図 5-26 入力バイアス電流と入力同相電圧との関係
BUF802 DC ゲイン ヒストグラム
µ = 0.971V/V、σ = 0.000485V/V
図 5-28 DC ゲイン ヒストグラム
BUF802 オフセット電圧のヒストグラム
µ = 587.668mV、σ = 8.80778mV
図 5-30 オフセット電圧のヒストグラム
BUF802 過渡クランプ応答
 
図 5-32 過渡クランプ応答