JAJSFV9D September   2015  – July 2018 CC1310

PRODUCTION DATA.  

  1. 1デバイスの概要
    1. 1.1 特長
    2. 1.2 アプリケーション
    3. 1.3 概要
    4. 1.4 機能ブロック図
  2. 2改訂履歴
  3. 3Device Comparison
    1. 3.1 Related Products
  4. 4Terminal Configuration and Functions
    1. 4.1 Pin Diagram – RSM Package
    2. 4.2 Signal Descriptions – RSM Package
    3. 4.3 Pin Diagram – RHB Package
    4. 4.4 Signal Descriptions – RHB Package
    5. 4.5 Pin Diagram – RGZ Package
    6. 4.6 Signal Descriptions – RGZ Package
  5. 5Specifications
    1. 5.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2  ESD Ratings
    3. 5.3  Recommended Operating Conditions
    4. 5.4  Power Consumption Summary
    5. 5.5  RF Characteristics
    6. 5.6  Receive (RX) Parameters, 861 MHz to 1054 MHz
    7. 5.7  Receive (RX) Parameters, 431 MHz to 527 MHz
    8. 5.8  Transmit (TX) Parameters, 861 MHz to 1054 MHz
    9. 5.9  Transmit (TX) Parameters, 431 MHz to 527 MHz
    10. 5.10 PLL Parameters
    11. 5.11 ADC Characteristics
    12. 5.12 Temperature Sensor
    13. 5.13 Battery Monitor
    14. 5.14 Continuous Time Comparator
    15. 5.15 Low-Power Clocked Comparator
    16. 5.16 Programmable Current Source
    17. 5.17 DC Characteristics
    18. 5.18 Thermal Characteristics
    19. 5.19 Timing and Switching Characteristics
      1. 5.19.1 Reset Timing
        1. Table 5-1 Reset Timing
      2. 5.19.2 Wakeup Timing
        1. Table 5-2 Wakeup Timing
      3. 5.19.3 Clock Specifications
        1. Table 5-3 24-MHz Crystal Oscillator (XOSC_HF)
        2. Table 5-4 32.768-kHz Crystal Oscillator (XOSC_LF)
        3. Table 5-5 48-MHz RC Oscillator (RCOSC_HF)
        4. Table 5-6 32-kHz RC Oscillator (RCOSC_LF)
      4. 5.19.4 Flash Memory Characteristics
        1. Table 5-7 Flash Memory Characteristics
      5. 5.19.5 Synchronous Serial Interface (SSI) Characteristics
        1. Table 5-8 Synchronous Serial Interface (SSI) Characteristics
    20. 5.20 Typical Characteristics
  6. 6Detailed Description
    1. 6.1  Overview
    2. 6.2  Main CPU
    3. 6.3  RF Core
    4. 6.4  Sensor Controller
    5. 6.5  Memory
    6. 6.6  Debug
    7. 6.7  Power Management
    8. 6.8  Clock Systems
    9. 6.9  General Peripherals and Modules
    10. 6.10 Voltage Supply Domains
    11. 6.11 System Architecture
  7. 7Application, Implementation, and Layout
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 TI Design or Reference Design
  8. 8デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1  デバイスの項目表記
    2. 8.2  ツールとソフトウェア
    3. 8.3  ドキュメントのサポート
    4. 8.4  テキサス・インスツルメンツのローパワーRF Webサイト
    5. 8.5  追加情報
    6. 8.6  コミュニティ・リソース
    7. 8.7  商標
    8. 8.8  静電気放電に関する注意事項
    9. 8.9  Export Control Notice
    10. 8.10 Glossary
  9. 9メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 9.1 パッケージ情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.1 デバイスの項目表記

製品開発サイクルの段階を示すために、TIではすべての型番や日付コードに接頭辞を割り当てます。各デバイスには、X、P、または空白(接頭辞なし)のいずれかの接頭辞/識別子があります(たとえば、CC1310は量産中なので、接頭辞/識別子が割り当てられません)。

デバイス開発の段階は次のとおりです。

    X実験的デバイス。最終デバイスの電気的特性を必ずしも表さず、量産アセンブリ・フローを使用しない可能性があります。
    Pプロトタイプ・デバイス。最終的なシリコン・ダイとは限らず、最終的な電気的特性を満たさない可能性があります。
    空白認定済みのシリコン・ダイの量産バージョン。

量産デバイスの特性は完全に明確化されており、デバイスの品質と信頼性が十分に示されています。TIの標準保証が適用されます。

プロトタイプ・デバイス(XまたはP)の方が標準的な量産デバイスに比べて故障率が大きいと予測されます。これらのデバイスは予測される最終使用時の故障率が未定義であるため、テキサス・インスツルメンツではそれらのデバイスを量産システムで使用しないよう推奨しています。認定された量産デバイスのみを使用する必要があります。

TIデバイスの項目表記には、デバイス・ファミリ名の接尾辞も含まれます。この接尾辞はパッケージ・タイプを示します(例 RGZ)。

RSM (4mm×4mm)、RHB (5mm×5mm)、またはRGZ (7mm×7mm) パッケージ・タイプのCC1310デバイスの発注型番については、このドキュメントのパッケージ・オプションの付録を参照するか、TIのWebサイト(www.ti.com)をご覧いただくか、TIの販売代理店にお問い合わせください。

CC1310 device-nomenclature-RGZ-RHB-RSM-SWRS181.gifFigure 8-1 デバイスの項目表記