JAJSED4A September   2013  – January 2018 CSD13202Q2

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     Device Images
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Characteristics
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q2パッケージの寸法
      1. 7.1.1 推奨されるPCBパターン
      2. 7.1.2 推奨されるステンシル・パターン
    2. 7.2 Q2のテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DQK|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.1 Electrical Characteristics

TA = 25°C, unless otherwise specified
PARAMETERTEST CONDITIONSMINTYPMAXUNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BVDSS Drain-to-source voltage VGS = 0 V, ID = 250 μA 12 V
IDSS Drain-to-source leakage current VGS = 0 V, VDS = 9.6 V 1 μA
IGSS Gate-to-source leakage current VDS = 0 V, VGS = 8 V 100 nA
VGS(th) Gate-to-source threshold voltage VDS = VGS, IDS = 250 μA 0.58 0.80 1.10 V
RDS(on) Drain-to-source on-resistance VGS = 2.5 V, IDS = 5 A 9.1 11.6 mΩ
VGS = 3 V, IDS = 5 A 8.4 10.4
VGS = 4.5 V, IDS = 5 A 7.5 9.3
gfs Transconductance VDS = 6 V, IDS = 5 A 44 S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
CISS Input capacitance VGS = 0V, VDS = 6 V, f = 1 MHz 767 997 pF
COSS Output capacitance 506 657 pF
CRSS Reverse transfer capacitance 43 56 pF
Rg Series gate resistance 0.7 1.4 Ω
Qg Gate charge total (4.5 V) VDS = 6 V, IDS = 5 A 5.1 6.6 nC
Qgd Gate charge gate-to-drain 0.76 nC
Qgs Gate charge gate-to-source 0.98 nC
Qg(th) Gate charge at Vth 0.57 nC
QOSS Output charge VDS = 6 V, VGS = 0 V 5.7 nC
td(on) Turnon delay time VDS = 6 V, VGS = 4.5 V, IDS = 5 A
RG = 2 Ω		 4.5 ns
tr Rise time 28 ns
td(off) Turnoff delay time 11.0 ns
tf Fall time 13.6 ns
DIODE CHARACTERISTICS
VSD Diode forward voltage IDS = 5 A, VGS = 0 V 0.75 1 V
Qrr Reverse recovery charge VDD = 6 V, IF = 5 A, di/dt = 200 A/μs 13 nC
trr Reverse recovery time 28 ns