JAJSTX0E October   2009  – November 2024 CSD16301Q2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 5.2 サポート・リソース
    3. 5.3 Trademarks
    4. 5.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 5.5 用語集
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DQK|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 25V、19mΩ、2mm × 2mm SON NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換および負荷管理アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。2mm × 2mm SON パッケージにより、このサイズのパッケージでは非常に優れた熱特性を実現しています。

CSD16301Q2 上面図上面図

製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 25 V
Qg ゲートの合計電荷 (4.5V) 2 nC
Qgd ゲート-ドレイン間ゲート電荷 0.4 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 3V 27 mΩ
VGS = 4.5V 23
VGS = 8V 19
VGS(th) スレッショルド電圧 1.1 V
製品情報
デバイス 数量 メディア パッケージ (1) 出荷形態
CSD16301Q2 3000 7インチ リール SON
2.00mm × 2.00mm
プラスチック パッケージ		 リール
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃ 値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 25 V
VGS ゲート - ソース間電圧 +10 / -8 V
ID 連続ドレイン電流 (パッケージ制限) 5 A
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25°C 20
連続ドレイン電流(1) 8.2
IDM パルス ドレイン電流(2) 85 A
PD 消費電力(1) 2.5 W
消費電力、TC = 25℃ 15
TJ、
TSTG		 動作時の接合部温度、
保存温度		 -55～150 ℃
EAS アバランシェ エネルギー、単一パルス
ID = 14A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 10 mJ
(1) 厚さ 0.06 インチの FR4 PCB 上に構築された面積 1 平方インチ、2 オンスの Cu パッド上で、標準値 RθJA = 50℃/W です。
(2) 最大 RθJC = 8.4℃/W、パルス期間 ≦ 100μs、デューティ サイクル ≦ 1%
CSD16301Q2 RDS(on) と VGS との関係RDS(on) と VGS との関係
CSD16301Q2 ゲート電荷ゲート電荷