JAJSSE0E August   2009  – December 2023 CSD16321Q5

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 5.2 サポート・リソース
    3. 5.3 Trademarks
    4. 5.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 5.5 用語集
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Package Option Addendum
    2. 7.2 Tape and Reel Information
    3.     19

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 25V、1.9mΩ、5mm × 6mm の SON NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

GUID-FDFB4E29-6A29-4D61-A814-8F0C7DEE217B-low.gif上面図
製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 25 V
Qg ゲートの合計電荷 (4.5V) 14 nC
Qgd ゲート-ドレイン間ゲート電荷 2.5 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 3V 2.8 mΩ
VGS = 4.5V 2.1
VGS = 8V 1.9
VGS(th) スレッショルド電圧 1.1 V
製品情報 (1)
デバイスメディア数量パッケージ出荷形態
CSD16321Q513 インチ・リール2500SON
5.00mm × 6.00mm
プラスチック パッケージ		テープおよびリール
CSD16321Q5T7 インチ・リール250
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃値単位
VDSドレイン - ソース間電圧25V
VGSゲート - ソース間電圧+10 / –8V
ID連続ドレイン電流 (パッケージ制限)100A
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25℃177
連続ドレイン電流(1)29
IDMパルス・ドレイン電流(2) 400A
PD消費電力(1)3.1W
消費電力、TC = 25℃113
TJ、
Tstg		動作時の接合部温度、
保存温度		–55～150℃
EASアバランシェ エネルギー、単一パルス
ID = 66A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		218mJ
(1) 厚さ 0.06in の FR4 PCB 上に構築された面積 1in2、2 オンスの Cu パッド上で、標準値 RθJA = 40℃/W
(2) 最大 RθJC = 1.1°C/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
GUID-B5FB0176-F018-40B0-8BDE-E489EB0FE3A9-low.gifRDS(on) と VGS との関係
GUID-6984E843-A462-4510-8BD3-97336D92A420-low.gifゲート電荷