JAJSRQ7D August 2009 – October 2023 CSD16325Q5
PRODUCTION DATA
3 概要
NexFET™ パワー MOSFET はパワー・コンバージョン・アプリケーションにおいて損失を最小限とするよう設計され、5V ゲート・ドライブ・アプリケーションに最適化されています。
上面図製品概要
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 25 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷 (4.5V) | 18 | nC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 | 3.5 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = 3V | 2.1 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 1.7 | mΩ | ||
| VGS = 8V | 1.5 | mΩ | ||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 1.1 | V | |
製品情報
| 製品名 | パッケージ | メディア | 数量 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD16325Q5 | SON 5mm × 6mm プラスチック・パッケージ | 13 インチ・リール | 2500 | テープ・アンド・リール |
絶対最大定格
| TA = 25℃ (特に記述のない限り) | 値 | 単位 | |
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 25 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | +10 / –8 | V |
| ID | 連続ドレイン電流、TC = 25℃ | 100 | A |
| 連続ドレイン電流(1) | 33 | A | |
| IDM | パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) | 200 | A |
| PD | 消費電力(1) | 3.1 | W |
| TJ、TSTG | 動作時の接合部温度、保存温度 | –55～150 | ℃ |
| EAS | アバランシェ・エネルギー、単一パルス ID = 100A、L = 0.1mH、RG = 25Ω | 500 | mJ |
(1) RθJA = 38℃/W (標準値、厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB 上の面積 1 平方インチ (6.45cm2)、厚さ 2oz (0.071mm) の Cu パッドに実装した場合)。
(2) パルス幅 ≤ 300μs、デューティ・サイクル ≤ 2%
RDS(on) と VGS との関係
ゲート電荷