JAJSDL0B February   2017  – June 2024 CSD17318Q2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Characteristics
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 5.2 サポート・リソース
    3. 5.3 Trademarks
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計され、5V ゲート ドライブ アプリケーションに最適化されています。2mm × 2mm SON により、このサイズのパッケージでは非常に優れた熱特性を実現しています。

CSD17318Q2 上面図 図 3-1 上面図
製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 30 V
Qg ゲートの合計電荷 (4.5V) 6.0 nC
Qgd ゲート-ドレイン間ゲート電荷 1.3 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 2.5V 20 mΩ
VGS = 4.5V 13.9
VGS = 8V 12.6
VGS(th) スレッショルド電圧 0.9 V
製品情報(1)
部品番号 数量 メディア パッケージ 出荷形態
CSD17318Q2 3000 7 インチ リール SON
2.00mm × 2.00mm
プラスチック パッケージ		 テープ アンド リール
CSD17318Q2T 250
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃ 値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 30 V
VGS ゲート - ソース間電圧 ±10 V
ID 連続ドレイン電流 (パッケージ制限) 21.5 A
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25°C 25
連続ドレイン電流(1) 10
IDM パルス ドレイン電流、TA = 25℃(2) 68 A
PD 消費電力(1) 2.5 W
消費電力、TC = 25℃ 16
TJ、
TSTG		 動作時の接合部温度、
保存温度		 -55～150 ℃
EAS アバランシェ エネルギー、単一パルス、
ID = 12.4A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 7.7 mJ
(1) 厚さ 0.06 インチの FR4 PCB 上に構築された面積 1 平方インチ、2 オンスの Cu パッド上で、
標準値 RθJA = 55℃/W です。
(2) 最大 RθJC = 7℃/W、パルス期間 ≦ 100μs、デューティ サイクル ≦ 1%
CSD17318Q2 オン状態の抵抗とゲート-ソース間電圧との関係 オン状態の抵抗とゲート-ソース間電圧との関係
CSD17318Q2 ゲート電荷 ゲート電荷