JAJSDP2C April 2016 – February 2022 CSD17382F4
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
この 30V、54mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
---|---|---|---|---|
VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 30 | V | |
Qg | ゲートの合計電荷 (4.5V) | 2.1 | nC | |
Qgd | ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 | 0.63 | nC | |
RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = 1.8V | 110 | mΩ |
VGS = 2.5V | 67 | mΩ | ||
VGS = 4.5V | 56 | mΩ | ||
VGS = 8.0V | 54 | mΩ | ||
VGS(th) | スレッショルド電圧 | 0.9 | V |
デバイス(1) | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷形態 |
---|---|---|---|---|
CSD17382F4 | 3000 | 7 インチ・リール | Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm SMD リードレス | テープ・アンド・リール |
CSD17382F4T | 250 |
TA = 25℃ | 値 | 単位 | |
---|---|---|---|
VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 30 | V |
VGS | ゲート - ソース間電圧 | 10 | V |
ID | 連続ドレイン電流(1) | 2.3 | A |
IDM | パルス・ドレイン電流(2) | 14.8 | A |
PD | 消費電力(1) | 500 | mW |
ESD 定格 | 人体モデル (HBM) | 3000 | V |
デバイス帯電モデル (CDM) | 2000 | V | |
TJ、 Tstg | 動作時の接合部温度、 保存温度 | –55~150 | °C |
EAS | アバランシェ・エネルギー、単一パルス ID = 6.5A、 L = 0.1mH、RG = 25Ω | 2.1 | mJ |