JAJSI93D May   2015  – February 2022 CSD17484F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 6.2 Trademarks
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • YJJ|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 99mΩ、30V、N チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

GUID-522C8182-EF91-4A14-A0BB-09855B9C800E-low.gif図 3-1 標準的な部品寸法
製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 30 V
Qg ゲートの合計電荷 (4.5V) 920 pC
Qgd ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 75 pC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 1.8V 170 mΩ
VGS = 2.5V 125
VGS = 4.5V 107
VGS = 8.0V 99
VGS(th) スレッショルド電圧 0.85 V
製品情報(1)
デバイス数量メディアパッケージ出荷形態
CSD17484F430007 インチ・リールFemto (0402)
1.00mm × 0.60mm
LGA (Land Grid Array)		テープ・アンド・リール
CSD17484F4T250
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃値単位
VDSドレイン - ソース間電圧30V
VGSゲート - ソース間電圧12V
ID連続ドレイン電流(1)3.0A
IDMパルス・ドレイン電流(1)(2)18A
IG連続ゲート・クランプ電流35mA
パルス・ゲート・クランプ電流(2)350
PD消費電力500mW
V(ESD)人体モデル (HBM)4kV
デバイス帯電モデル (CDM)2
TJ、
Tstg		動作時の接合部温度、
保存温度		–55～150℃
EASアバランシェ・エネルギー、単一パルス ID = 7.1A、
L = 0.1mH、RG = 25Ω		2.5mJ
(1) RθJA = 85℃/W (標準値、厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB 上の面積 1 平方インチ (6.45cm2)、厚さ 2oz (0.071mm) の Cu パッドに実装した場合)
(2) パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
GUID-883CFFC5-74A0-4AEC-8034-8541B9812B80-low.gif図 3-2 上面図