Data Sheet
30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFETs
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1 特長
- 非常に低い Qg および Qgd
- 低い熱抵抗
- アバランシェ定格
- 鉛不使用の端子メッキ処理
- RoHS に準拠
- ハロゲン不使用
- SON 5mm × 6mm プラスチック パッケージ
2 アプリケーション
- ネットワーク、テレコム、およびコンピューティング システムのポイント オブ ロード同期整流降圧
- 制御および同期 FET アプリケーションに最適化
3 概要
NexFET™ パワー MOSFET は、電源変換アプリケーションの損失を最小限に抑えるように設計されています。
上面図製品概要
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 30 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷 (4.5V) | 6.4 | nC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 | 1.9 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = 4.5V | 5.4 | mΩ |
| VGS = 10V | 4.1 | mΩ | ||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 1.5 | V | |
注文情報
| デバイス | パッケージ | メディア | 数量 | Ship (配送) |
|---|---|---|---|---|
| CSD17510Q5A | SON 5mm×6mmプラスチック パッケージ | 13インチ リール | 2500 | テープ アンド リール |
絶対最大定格
| TA = 25℃ (特に記述のない限り) | 値 | 単位 | |
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 30 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID | 連続ドレイン電流、TC = 25℃ | 55 | A |
| 連続ドレイン電流(1) | 20 | A | |
| IDM | パルス ドレイン電流、TA = 25℃(2) | 129 | A |
| PD | 消費電力(1) | 3 | W |
| TJ、TSTG | 動作時の接合部温度、保存温度 | -55～150 | ℃ |
| EAS | アバランシェ エネルギー、単一パルス ID = 54A、L = 0.1mH、RG = 25Ω |
146 | mJ |
(1) 厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB 上にある 1 平方インチ (6.45cm2)、2 オンス (厚さ 0.071mm) の Cu パッドで、標準 RθJA = 41℃/W。
(2) パルス幅 ≤ 300μs、デューティ サイクル ≤ 2%
RDS(on) と VGS との関係
ゲート電荷