JAJSSE3C
January 2016 – November 2023
CSD17552Q3A
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
仕様
4.1
電気的特性
4.2
熱に関する情報
4.3
代表的な MOSFET の特性
5
デバイスおよびドキュメントのサポート
5.1
サポート・リソース
5.2
商標
5.3
静電気放電に関する注意事項
5.4
用語集
6
改訂履歴
7
メカニカル、パッケージ、および注文情報
パッケージ・オプション
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
DNH|8
MPDS575A
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsse3c_oa
jajsse3c_pm
4.3
代表的な MOSFET の特性
(特に記述のない限り T
A
= 25℃)
図 4-1
過渡熱抵抗
図 4-2
飽和特性
図 4-4
ゲート電荷
図 4-6
スレッショルド電圧と温度との関係
図 4-8
通常のオン状態抵抗と温度との関係
図 4-10
安全動作領域 (最大値)
図 4-12
ドレイン電流 (最大値) と温度との関係
図 4-3
伝達特性
図 4-5
容量
図 4-7
オン状態抵抗とゲート - ソース間電圧との関係
図 4-9
ダイオードの順方向電圧 (標準値)
図 4-11
単一パルスの非クランプ誘導性スイッチング
