JAJSSE3C January   2016  – November 2023 CSD17552Q3A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4仕様
    1. 4.1 電気的特性
    2. 4.2 熱に関する情報
    3. 4.3 代表的な MOSFET の特性
  6. 5デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 5.1 サポート・リソース
    2. 5.2 商標
    3. 5.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 5.4 用語集
  7. 6改訂履歴
  8. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.3 静電気放電に関する注意事項

GUID-D6F43A01-4379-4BA1-8019-E75693455CED-low.gif この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい取り扱いおよび設置手順に従わない場合、デバイスを破損するおそれがあります。
ESD による破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。