JAJSCU0A December   2016  – March 2019 CSD18512Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
      1.      Device Images
        1.       RDS(on)とVGSとの関係
        2.       ゲート電荷
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 コミュニティ・リソース
    2. 6.2 商標
    3. 6.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 6.4 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q5Bパッケージの寸法
    2. 7.2 推奨されるPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル・パターン
    4. 7.4 Q5Bのテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この40V、1.3mΩ、5mm×6mm NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。

上面図

CSD18512Q5B P0093-01_LPS198.gif

製品概要

TA = 25°C 標準値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 40 V
Qg 総ゲート電荷量(10V) 75 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 13.3 nC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = 4.5V 1.8 mΩ
VGS = 10V 1.3 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 1.6 V

製品情報(1)

デバイス 数量 メディア パッケージ 出荷
CSD18512Q5B 2500 13インチ・リール SON 5mm×6mmプラスチック・パッケージ テープ・アンド・リール
CSD18512Q5BT 250 7インチ・リール
  1. 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25°C 値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 40 V
VGS ゲート-ソース間電圧 ±20 V
ID 連続ドレイン電流(パッケージ制限) 100 A
連続ドレイン電流(シリコン制限)、
TC = 25℃		 211
連続ドレイン電流(1) 32
IDM パルス・ドレイン電流(2) 400 A
PD 消費電力(1) 3.1 W
消費電力、TC = 25℃ 139
TJ、
Tstg 		動作時の接合部、
保管温度		 –55～150 °C
EAS アバランシェ・エネルギー、単一パルス
ID = 64A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 205 mJ
  1. 0.06インチ厚のFR4 PCB上の1インチ2、2オンスのCuパッドにおいて、RθJA = 40℃/W (標準値)
  2. 最大RθJC = 0.9℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%