JAJSCU0A December   2016  – March 2019 CSD18512Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
      1.      Device Images
        1.       RDS(on)とVGSとの関係
        2.       ゲート電荷
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 コミュニティ・リソース
    2. 6.2 商標
    3. 6.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 6.4 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q5Bパッケージの寸法
    2. 7.2 推奨されるPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル・パターン
    4. 7.4 Q5Bのテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.1 Electrical Characteristics

(TA = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BVDSS Drain to source voltage VGS = 0 V, ID = 250 μA 40 V
IDSS Drain to source leakage current VGS = 0 V, VDS = 32 V 1 μA
IGSS Gate to source leakage current VDS = 0 V, VGS = 20 V 100 nA
VGS(th) Gate to source threshold voltage VDS = VGS, ID = 250 μA 1.3 1.6 2.2 V
RDS(on) Drain to source on resistance VGS = 4.5 V, ID = 30 A 1.8 2.3 mΩ
VGS = 10 V, ID = 30 A 1.3 1.6 mΩ
gfs Transconductance VDS = 20 V, ID = 30 A 136 S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Ciss Input capacitance VGS = 0 V, VDS = 20 V, ƒ= 1 MHz 5480 7120 pF
Coss Output capacitance 537 699 pF
Crss Reverse transfer capacitance 256 333 pF
RG Series gate resistance 1.0 2.0 Ω
Qg Gate charge total (4.5 V) VDS = 20 V, ID = 30 A 37 48 nC
Qg Gate charge total (10 V) 75 98 nC
Qgd Gate charge gate to drain 13.3 nC
Qgs Gate charge gate to source 15.1 nC
Qg(th) Gate charge at Vth 8.2 nC
Qoss Output charge VDS = 20 V, VGS = 0 V 23 nC
td(on) Turn on delay time VDS = 20 V, VGS = 10 V,
IDS = 30 A, RG = 0 Ω		 7 ns
tr Rise time 16 ns
td(off) Turn off delay time 31 ns
tf Fall time 7 ns
DIODE CHARACTERISTICS
VSD Diode forward voltage ISD = 30 A, VGS = 0 V 0.75 1.0 V
Qrr Reverse recovery charge VDS= 20 V, IF = 30 A,
di/dt = 300 A/μs		 22 nC
trr Reverse recovery time 17 ns