JAJSCU0A December   2016  – March 2019 CSD18512Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
      1.      Device Images
        1.       RDS(on)とVGSとの関係
        2.       ゲート電荷
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 コミュニティ・リソース
    2. 6.2 商標
    3. 6.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 6.4 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q5Bパッケージの寸法
    2. 7.2 推奨されるPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル・パターン
    4. 7.4 Q5Bのテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

Typical MOSFET Characteristics

TA = 25°C (unless otherwise stated)
CSD18512Q5B D001_SLPS624.png
Figure 1. Transient Thermal Impedance
CSD18512Q5B D002_SLPS624.gif
Figure 2. Saturation Characteristics
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ID = 30 A VDS = 20 V
Figure 4. Gate Charge
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ID = 250 µA
Figure 6. Threshold Voltage vs Temperature
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ID = 30 A
Figure 8. Normalized On-State Resistance vs Temperature
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Single pulse, Max RθJC= 0.9°C/W
Figure 10. Maximum Safe Operating Area
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Max RθJC= 0.9°C/W
Figure 12. Maximum Drain Current vs Temperature
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VDS = 5 V
Figure 3. Transfer Characteristics
CSD18512Q5B D005_SLPS624.gif
Figure 5. Capacitance
CSD18512Q5B D007_SLPS624.gif
Figure 7. On-State Resistance vs Gate-to-Source Voltage
CSD18512Q5B D009_SLPS624.gif
Figure 9. Typical Diode Forward Voltage
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Figure 11. Single Pulse Unclamped Inductive Switching