JAJSCT3A November 2016 – January 2017 CSD18514Q5A
PRODUCTION DATA.
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NexFET, E2E are trademarks of Texas Instruments.
これらのデバイスは、限定的なESD(静電破壊)保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.