JAJSET2C June   2013  – February 2018 CSD18532NQ5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     Device Images
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q5Bパッケージの寸法
    2. 7.2 推奨されるPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル・パターン
    4. 7.4 Q5Bのテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DNK|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.1 Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise stated
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BVDSS Drain-to-source voltage VGS = 0 V, ID = 250 μA 60 V
IDSS Drain-to-source leakage current VGS = 0 V, VDS = 48 V 1 μA
IGSS Gate-to-source leakage current VDS = 0 V, VGS = 20 V 100 nA
VGS(th) Gate-to-source threshold voltage VDS = VGS, ID = 250 μA 2.4 2.8 3.4 V
RDS(on) Drain-to-source on-resistance VGS = 6 V, ID = 25 A 3.5 4.4 mΩ
VGS = 10 V, ID = 25 A 2.7 3.4
gfs Transconductance VDS = 30 V, ID = 25 A 140 S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Ciss Input capacitance VGS = 0 V, VDS = 30 V, ƒ = 1 MHz 4100 5340 pF
Coss Output capacitance 495 644 pF
Crss Reverse transfer capacitance 16 21 pF
RG Series gate resistance 1.2 2.4 Ω
Qg Gate charge total (10 V) VDS = 30 V, ID = 25 A 49 64 nC
Qgd Gate charge gate-to-drain 7.9 nC
Qgs Gate charge gate-to-source 16 nC
Qg(th) Gate charge at Vth 11 nC
Qoss Output charge VDS = 30 V, VGS = 0 V 69 nC
td(on) Turnon delay time VDS = 30 V, VGS = 10 V,
IDS = 25 A, RG = 0 Ω		 8.2 ns
tr Rise time 8.7 ns
td(off) Turnoff delay time 20 ns
tf Fall time 2.7 ns
DIODE CHARACTERISTICS
VSD Diode forward voltage ISD = 25 A, VGS = 0 V 0.8 1 V
Qrr Reverse recovery charge VDS = 30 V, IF = 25 A,
di/dt = 300 A/μs		 139 nC
trr Reverse recovery time 64 ns