JAJSU53A June 2015 – April 2024 CSD18542KCS
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
この 60V、3.3mΩ、TO-220 NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。
TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
---|---|---|---|---|
VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 60 | V | |
Qg | ゲートの合計電荷 (10V) | 44 | nC | |
Qgd | ゲート ドレイン間のゲート電荷量 | 6.9 | nC | |
RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = 4.5V | 4.0 | mΩ |
VGS = 10V | 3.3 | mΩ | ||
VGS(th) | スレッショルド電圧 | 1.8 | V |
デバイス | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷形態 |
---|---|---|---|---|
CSD18542KCS | 50 | チューブ | TO-220プラスチック パッケージ | チューブ |
TA = 25℃ | 値 | 単位 | |
---|---|---|---|
VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 60 | V |
VGS | ゲート - ソース間電圧 | ±20 | V |
ID | 連続ドレイン電流 (パッケージ制限) | 200 | A |
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25℃ | 170 | ||
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 100℃ | 120 | ||
IDM | パルス ドレイン電流 (1) | 400 | A |
PD | 消費電力 | 200 | W |
TJ、 Tstg | 動作時の接合部温度、 保存温度 | -55~175 | ℃ |
EAS | アバランシェ エネルギー、単一パルス ID = 75A、L = 0.1mH、RG = 25Ω | 281 | mJ |
|
|