Data Sheet
CSD18542KTT 60V N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
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1 特長
- 非常に低い Qg および Qgd
- 低い熱抵抗
- アバランシェ定格
- ロジック レベル
- 鉛フリーの端子メッキ処理
- RoHS に準拠
- ハロゲン不使用
- D2PAK プラスチック パッケージ
2 アプリケーション
- DC/DC 変換
- 2 次側同期整流器
- モータ制御
3 概要
この 60V、3.3mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。
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製品概要
| TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 60 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷 (10V) | 44 | nC | |
| Qgd | ゲート-ドレイン間ゲート電荷 | 6.9 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = 4.5V | 4.0 | mΩ |
| VGS = 10V | 3.3 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 1.8 | V | |
製品情報(1)
| デバイス | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷形態 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18542KTT | 500 | 13インチ リール | D2PAK プラスチック パッケージ | テープ アンド リール |
| CSD18542KTTT | 50 |
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25℃ | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 60 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID | 連続ドレイン電流 (パッケージ制限) | 200 | A |
| 連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25°C | 170 | ||
| 連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 100°C | 120 | ||
| IDM | パルス ドレイン電流(1) | 400 | A |
| PD | 電力散逸 | 250 | W |
| TJ、 Tstg | 動作時の接合部温度、 保存温度 | -55～175 | ℃ |
| EAS | アバランシェ エネルギー、単一パルス ID = 75A、L = 0.1mH、RG = 25Ω | 281 | mJ |
(1) 最大 RθJC = 0.6℃/W、パルス期間 ≦ 100μs、デューティ サイクル ≦ 1%
 RDS(on) と VGS との関係 |
 ゲート電荷 |
