JAJSU54B December 2013 – April 2024 CSD19503KCS
PRODUCTION DATA
- 1
- 1特長
- 2アプリケーション
- 3概要
- 4Specifications
- 5Device and Documentation Support
- 6Revision History
- 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
- KCS|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
3 概要
この 80V、7.6mΩ、TO-220 NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。
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製品概要
| TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 80 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷 (10V) | 28 | nC | |
| Qgd | ゲート-ドレイン間ゲート電荷 | 5.4 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = 6V | 8.8 | mΩ |
| VGS = 10V | 7.6 | mΩ | ||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 2.8 | V | |
注文情報(1)
| デバイス | パッケージ | メディア | 数量 | Ship (配送) |
|---|---|---|---|---|
| CSD19503KCS | TO-220プラスチック パッケージ | チューブ | 50 | チューブ |
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25℃ | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 80 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID | 連続ドレイン電流 (パッケージ制限) | 100 | A |
| 連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25℃ | 94 | ||
| 連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 100℃ | 66 | ||
| IDM | パルス ドレイン電流 (1) | 247 | A |
| PD | 電力散逸 | 188 | W |
| TJ、 Tstg | 動作時の接合部温度、 保存温度 | -55～175 | ℃ |
| EAS | アバランシェ エネルギー、単一パルス ID = 53A、L = 0.1mH、RG = 25Ω | 140 | mJ |
(1) 最大 RθJC = 0.8℃/W、パルス幅 ≦ 100μs、デューティ サイクル ≦ 1%
 RDS(on) と VGS との関係 |
 ゲート電荷 |