JAJSS00C January   2014  – May 2024 CSD19536KCS

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 5.2 サポート・リソース
    3. 5.3 Trademarks
    4. 5.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 5.5 用語集
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • KCS|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 100V、2.3mΩ、TO-220 NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

CSD19536KCS CSD19536KCS
製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 100 V
Qg ゲートの合計電荷 (10V) 118 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 17 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 6V 2.5 mΩ
VGS = 10V 2.3 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 2.5 V
注文情報
デバイス パッケージ メディア 数量 Ship (配送)
CSD19536KCS TO-220プラスチック パッケージ チューブ 50 チューブ
絶対最大定格
TA = 25℃ 値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 100 V
VGS ゲート - ソース間電圧 ±20 V
ID 連続ドレイン電流 (パッケージ制限) 150 A
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25℃ 259
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 100℃ 183
IDM パルス ドレイン電流 (1) 400 A
PD 電力散逸 375 W
TJ、
Tstg		 動作時の接合部温度、
保存温度		 -55～175 ℃
EAS アバランシェ エネルギー、単一パルス
ID = 127A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 806 mJ
(1) 最大 RθJC = 0.4℃/W、パルス幅 ≦ 100μs、デューティ サイクル ≦ 1%
CSD19536KCS RDS(on) と VGS との関係RDS(on) と VGS との関係
CSD19536KCS ゲート電荷ゲート電荷