DATA SHEET
CSD19537Q3 100V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
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1 特長
- 非常に低い Qg および Qgd
- 低い熱抵抗
- アバランシェ定格
- 鉛不使用の端子メッキ処理
- RoHS に準拠
- ハロゲン不使用
- SON 3.3mm × 3.3mm プラスチック・パッケージ
2 アプリケーション
- 1 次側の絶縁コンバータ
- モーター制御
3 概要
この 100V、12.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm の NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。
図 3-1 上面図
製品概要
| TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 100 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷 (10V) | 16 | nC | |
| Qgd | ゲート - ドレイン間ゲート電荷 | 2.9 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = 6V | 13.8 | mΩ |
| VGS = 10V | 12.1 | mΩ | ||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 3 | V | |
注文情報(1)
| デバイス | メディア | 数量 | パッケージ | 出荷形態 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19537Q3 | 13 インチ・リール | 2500 | SON 3.3mm × 3.3mm プラスチック・パッケージ | テープ・アンド・リール |
| CSD19537Q3T | 13 インチ・リール | 250 |
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25℃ | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 100 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID | 連続ドレイン電流 (パッケージ制限) | 50 | A |
| 連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25℃ | 53 | A | |
| 連続ドレイン電流 (1) | 9.7 | A | |
| IDM | パルス・ドレイン電流 (2) | 219 | A |
| PD | 消費電力(1) | 2.8 | W |
| 消費電力、TC = 25℃ | 83 | W | |
| TJ、 Tstg | 動作時の接合部温度、 保存温度 | -55～150 | ℃ |
| EAS | アバランシェ・エネルギー、単一パルス ID = 33A、L = 0.1mH、RG = 25Ω | 55 | mJ |
(1) 厚さ 0.06in の FR4 PCB 上に構築された面積 1in2、2 オンスの Cu パッド上で、標準値 RθJA = 45℃/W です。
(2) 最大 RθJC = 1.5℃/W、パルス期間 ≦ 100μs、デューティ・サイクル ≦ 1%。
 RDS(on) と VGS との関係 |
 ゲート電荷 |
