JAJSC77A May 2016 – March 2017 CSD19538Q3A
PRODUCTION DATA.
1 特長
- 非常に低いQgおよびQgd
- 低い熱抵抗
- アバランシェ定格
- 鉛不使用
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ
2 アプリケーション
- PoE（Power Over Ethernet）
- PSE（Power Sourcing Equipment）
- モータ制御
3 概要
この100V、49mΩ、SON 3.3mm×3.3mm NexFET™パワーMOSFETは、導電損失を最小限に抑え、PoEアプリケーションの基板占有面積を削減するように設計されています。
上面図
製品概要
| TA = 25°C | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 100 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷(10V) | 4.3 | nC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 | 0.8 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン-ソース間オン抵抗 | VGS = 6V | 58 | mΩ |
| VGS = 10V | 49 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 3.2 | V | |
製品情報(1)
| デバイス | メディア | 数量 | パッケージ | 出荷 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19538Q3A | 13インチ・リール | 3000 | SON 3.30mm×3.30mm プラスチック・パッケージ |
テープ・アンド・リール |
| CSD19538Q3AT | 7インチ・リール | 250 |
- 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25°C | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 100 | V |
| VGS | ゲート-ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID | 連続ドレイン電流(パッケージ制限) | 15 | A |
| 連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C | 14 | ||
| 連続ドレイン電流(1) | 4.9 | ||
| IDM | パルス・ドレイン電流(2) | 37 | A |
| PD | 消費電力(1) | 2.8 | W |
| 消費電力、TC = 25°C | 23 | ||
| TJ、 Tstg |
動作時の接合部温度、 保管温度 |
–55～150 | °C |
| EAS | アバランシェ・エネルギー、単一パルス ID = 12.7A、L = 0.1mH、RG = 25Ω |
8.1 | mJ |
- 厚さ0.06inのFR4 PCB上に構築された面積1in2、2オンスのCuパッド上で、標準RθJA = 45°C/W
- 最大RθJC = 5.5°C/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
