デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
この 150mΩ、12V P チャネル FemtoFET™ MOSFETは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
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VDS | ドレイン - ソース間電圧 | –12 | V | |
Qg | 総ゲート電荷量 (–4.5V) | 1140 | pC | |
Qgd | ゲート - ドレイン間のゲート電荷量 | 190 | pC | |
RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = –1.8V | 480 | mΩ |
VGS = –2.5V | 250 | mΩ | ||
VGS = –4.5V | 150 | mΩ | ||
VGS(th) | スレッショルド電圧 | –0.95 | V |
デバイス(1) | 数量 | メディア | パッケージ | 配送 |
---|---|---|---|---|
CSD23381F4 | 3000 | 7 インチ・リール | Femto (0402) 1.00mm × 0.60mm LGA (Land Grid Array) |
テープ・アンド・リール |
CSD23381F4T | 250 |
TA = 25℃ | 値 | 単位 | |
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VDS | ドレイン - ソース間電圧 | –12 | V |
VGS | ゲート - ソース間電圧 | –8 | V |
ID | 連続ドレイン電流(1) | -2.3 | A |
IDM | パルス・ドレイン電流(2) | -9 | A |
IG | 連続ゲート・クランプ電流 | –35 | mA |
パルス・ゲート・クランプ電流(2) | –350 | ||
PD | 消費電力(1) | 500 | mW |
V(ESD) | 人体モデル (HBM) | 4 | kV |
デバイス帯電モデル (CDM) | 2 | kV | |
TJ、 Tstg |
動作時の接合部温度、 保存温度 |
–55~150 | ℃ |
Changes from Revision F (October 2021) to Revision G (January 2022)
Changes from Revision E (May 2015) to Revision F (October 2021)