JAJSMW1E
May 2014 – January 2022
CSD23382F4
PRODUCTION DATA
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Revision History
5
Specifications
5.1
Electrical Characteristics
5.2
Thermal Information
5.3
Typical MOSFET Characteristics
6
Device and Documentation Support
6.1
Trademarks
6.2
Electrostatic Discharge Caution
6.3
Glossary
7
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
7.1
Mechanical Dimensions
7.2
Recommended Minimum PCB Layout
7.3
Recommended Stencil Pattern
7.4
CSD23382F4 Embossed Carrier Tape Dimensions
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
YJC|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsmw1e_oa
jajsmw1e_pm
1
特長
低いオン抵抗
非常に低い Q
g
および Q
gd
非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
1.0mm × 0.6mm
薄型
最大高 0.36mm
ESD 保護ダイオード搭載
HBM 定格 2kV 超
CDM 定格 2kV 超
鉛フリーの端子メッキ処理
ハロゲン不使用
RoHS に準拠