JAJSP61B February 2012 – September 2022 CSD25211W1015
PRODUCTION DATA
- 1 特長
- 2 アプリケーション
- 3 概要
- 4 Revision History
- 5 Electrical Characteristics
- 6 Thermal Characteristics
- 7 Typical MOSFET Characteristics
- 8 Mechanical Data
- 9 静電気放電に関する注意事項
- 10Device and Documentation Support
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
- YZC|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
3 概要
デバイスは、可能な限り小さな外形で最低のオン抵抗およびゲート電荷を実現し、非常に薄型で優れた熱特性を持つよう設計されています。
図 3-1 上面図製品概要
| TA = 25℃ (特に記述のない限り) | 標準値 | 単位 | ||
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | -20 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷 (-4.5V) | 3.4 | nC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 | 0.2 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = -2.5V | 36 | mΩ |
| VGS = -4.5V | 27 | mΩ | ||
| VGS(th) | 電圧スレッショルド | -0.8 | V | |
製品情報
| 製品名 | パッケージ | メディア | 数量 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25211W1015 | 1 × 1.5 ウェハー・レベル・パッケージ | 7 インチ・リール | 3000 | テープ・アンド・リール |
絶対最大定格
| TA = 25℃ (特に記述のない限り) | 値 | 単位 | |
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | -20 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | -6 | V |
| ID | 連続ドレイン電流、TA = 25℃(1) | -3.2 | A |
| IDM | パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) | -9.5 | A |
| IG | 連続ゲート電流、TA = 25℃ | -0.5 | A |
| パルス・ゲート電流 | -7 | A | |
| PD | 消費電力(1) | 1 | W |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55～150 | °C |
| TJ | 動作時の接合部温度範囲 | ||
(1) 厚さ 0.06 インチの FR4 PCB 上に構築された面積 1 平方インチ、2 オンスの Cu パッド上で、標準値 RθJA = 119℃/W。
(2) パルス幅 ≦ 10μs、デューティ・サイクル ≦ 2%
RDS(on) と VGS との関係
ゲート電荷