JAJSMV6F September   2013  – February 2022 CSD25481F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 サポート・リソース
    2. 6.2 Trademarks
    3. 6.3 Electrostatic Discharge Caution
    4. 6.4 Glossary
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • YJC|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 90mΩ、20V P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

図 3-1 標準的な部品寸法

製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 –20 V
Qg ゲートの合計電荷 (–4.5V) 913 pC
Qgd ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 153 pC
RDS(on) ドレイン - ソース間
オン抵抗		 VGS = –1.8V 395 mΩ
VGS = –2.5V 145 mΩ
VGS = –4.5V 90 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 –0.95 V
製品情報
デバイス(1) 数量 メディア パッケージ 配送
CSD25481F4 3000 7 インチ・リール Femto (0402)
1.0mm × 0.6mm
LGA (Land Grid Array)		 テープ・アンド・リール
CSD25481F4T 250 7 インチ・リール
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃ (特に記述のない限り) 値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 –20 V
VGS ゲート - ソース間電圧 –12 V
ID 連続ドレイン電流(1) –2.5 A
IDM パルス・ドレイン電流(2) –13.1 A
IG 連続ゲート・クランプ電流 –35 mA
パルス・ゲート・クランプ電流(2) –350
PD 消費電力(1) 500 mW
V(ESD) 人体モデル (HBM) 4 kV
荷電デバイス・モデル (CDM) 2 kV
TJ、
Tstg		 動作時の接合部温度、
保存温度		 –55～150 ℃
(1) RθJA = 90℃/W (標準値、厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB 上の面積 1 平方インチ (6.45cm2)、厚さ 2oz (0.071mm) の Cu パッドに実装した場合)
(2) パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
GUID-EEF327C5-0957-410B-9195-988B6B073AEF-low.gif図 3-2 上面図