JAJSDH6B May 2015 – February 2022 CSD25484F4
PRODUCTION DATA
3 概要
この 80mΩ、–20V、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
図 3-1 標準的なパッケージ寸法製品概要
| TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | –20 | V | |
| Qg | 総ゲート電荷量 (–4.5V) | 1090 | pC | |
| Qgd | ゲート・ドレイン間のゲート電荷量 | 150 | pC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間 オン抵抗 | VGS = –1.8V | 405 | mΩ |
| VGS = –2.5V | 150 | |||
| VGS = –4.5V | 93 | |||
| VGS = –8.0V | 80 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | –0.95 | V | |
製品情報
| デバイス | 数量 | メディア | パッケージ(1) | 出荷形態 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25484F4 | 3000 | 7 インチ・リール | Femto (0402) 1.00mm × 0.60mm LGA (Land Grid Array) | テープ・アンド・リール |
| CSD25484F4T | 250 |
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25℃ | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | –20 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | –12 | V |
| ID | 連続ドレイン電流(1) | –2.5 | A |
| IDM | パルス・ドレイン電流(1)(2) | –22 | A |
| IG | 連続ゲート・クランプ電流 | –35 | mA |
| パルス・ゲート・クランプ電流(2) | –350 | ||
| PD | 消費電力(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人体モデル (HBM) | 4 | kV |
| デバイス帯電モデル (CDM) | 2 | ||
| TJ、 Tstg | 動作時の接合部温度、 保存温度 | –55～150 | ℃ |
(1) RθJA = 85℃/W (標準値、厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB 上の面積 1 平方インチ (6.45cm2)、厚さ 2oz (0.071mm) の Cu パッドに実装した場合)
(2) パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
図 3-2 上面図