JAJSS13C November   2014  – November 2023 CSD83325L

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 5.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 5.3 サポート・リソース
    4. 5.4 Trademarks
    5. 5.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 5.6 用語集
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA のデュアル NexFET™ パワー MOSFET は、小さな占有面積で抵抗とゲート電荷を最小限に抑えるように設計されています。占有面積が小さく共通ドレインの構成なので、このデバイスは小型のハンドヘルド デバイスのバッテリ パック・アプリケーションに理想的です。

GUID-36F9CF0E-AD84-47E1-B58E-8C6689E36F33-low.gif上面図
GUID-2D3B1016-FA77-4F6C-8305-A330C929F79B-low.gif構成
製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VS1S2 ソース間電圧 12 V
Qg ゲートの合計電荷 (4.5V) 8.4 nC
Qgd ゲート-ドレイン間ゲート電荷 1.9 nC
RS1S2(on) ソース間 ON 抵抗 VGS = 2.5V 17.5 mΩ
VGS = 3.8V 10.9 mΩ
VGS = 4.5V 9.9 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 1.0 V
製品情報 (1)
デバイス 数量 メディア パッケージ 出荷形態
CSD83325L 3000 7 インチ・リール 1.20mm × 1.15mm
ランド・グリッド・アレイ(LGA)
パッケージ		 テープおよびリール
CSD83325LT 250
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃ 値 単位
VS1S2 ソース間電圧 12 V
VGS ゲート - ソース間電圧 ±10 V
IS 連続ソース電流 (1) 8 A
ISM パルス・ソース電流 (2) 52 A
PD 消費電力 2.3 W
V(ESD) 人体モデル (HBM) 2000 V
TJ、
Tstg		 動作時の接合部温度、
保存温度		 -55～150 ℃
(1) 温度 105℃でのデバイス動作時
(2) 標準的な最小 Cu RθJA = 150℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ サイクル ≤ 1%。

GUID-DB2742C4-00B6-4A4E-BE1C-BCE05149E908-low.gifRDS(on) と VGS との関係
GUID-527630A4-6137-4066-A2A7-69CA45765921-low.gifゲート電荷