デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
この 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA のデュアル NexFET™パワー MOSFET は、小さな占有面積で抵抗およびゲート電荷を最小化するよう設計されています。サイズが小さく共通ドレインの構成なので、このデバイスはマルチセルのバッテリ・パック・アプリケーションや小型のハンドヘルド・デバイスに理想的です。
TA = 25°C | 標準値 | 単位 | ||
---|---|---|---|---|
VS1S2 | ソース間電圧 | 30 | V | |
Qg | ゲートの合計電荷(4.5V) | 15 | nC | |
Qgd | ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 | 6.0 | nC | |
RS1S2(on) | ソース間のオン抵抗 | VGS = 4.5V | 9.3 | mΩ |
VGS = 10V | 6.6 | |||
VGS(th) | スレッショルド電圧 | 1.8 | V |
デバイス | メディア | 数量 | パッケージ | 出荷 |
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CSD87501L | 7インチ・リール | 3000 | 3.37mm × 1.47mm
ランド・グリッド・アレイ ・パッケージ |
テープ
および リール |
CSD87501LT | 7インチ・リール | 250 |
TA = 25°C | 値 | UNIT | |
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VS1S2 | ソース間電圧 | 30 | V |
VGS | ゲート-ソース間電圧 | ±20 | V |
IS | 連続ソース電流(1) | 14 | A |
ISM | パルス・ソース電流(2) | 72 | A |
PD | 消費電力 | 2.5 | W |
V(ESD) | 人体モデル(HBM) | 2 | kV |
TJ、
Tstg |
動作時の接合部、
保管温度 |
–55~150 | °C |
RS1S2(on) と VGS との関係![]() |
ゲート電荷![]() |