熱評価基準(1) |
DLPA3085 |
単位 |
PFD (HTQFP) |
100 ピン |
RθJA |
接合部から周囲への熱抵抗 (2) |
7.0 |
℃/W |
RθJC(top) |
接合部からケース (上面) への熱抵抗(3) |
0.7 |
℃/W |
RθJB |
接合部から基板への熱抵抗 |
N/A |
℃/W |
ψJT |
接合部から上面への熱特性パラメータ(4) |
0.6 |
℃/W |
ψJB |
接合部から基板への熱特性パラメータ(5) |
3.4 |
℃/W |
RθJC(bot) |
接合部からケース (底面) への熱抵抗 |
該当なし |
℃/W |
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。
(2) 自然対流での接合部から周囲への熱抵抗は、JEDEC 規格の High-K 基板上のシミュレーションで求められますが、このデバイスはパッケージ上部ケースのヒートシンクで冷却することを意図しているため、このシミュレーションでは DLPA3085 にファンとヒートシンクを取り付けています。ヒートシンクは、12mm × 12mm × 3mm のスタッドを持つ 22mm × 22mm × 12mm のアルミニウム ピン フィン ヒートシンクです。ベースの厚さは 2mm、ピンの直径は 1.5mm で、6 × 6 ピンのアレイがあります。ヒートシンクは、100μm 厚のサーマル グリースを使用して DLPA3085 に取り付けられ、熱伝導率は 3W/m-K です。ファンは 20 × 20 × 8mm で、風量 1.6cfm、 静圧 0.22 インチ水柱です。
(3) 接合部とケース (上面) との間の熱抵抗は、パッケージ上面での冷却板試験のシミュレーションによって求められます。JEDEC 規格試験では規定されていませんが、ANSI が策定した SEMI 規格の G30-88 に類似した記述があります。
(4) 接合部とケース上面との間の特性パラメータ ψJT は、実際のシステムにおけるデバイスの接合部温度を推定するもので、JESD51-2a (セクション 6 および 7) に記述されている手順を用いて、RθJA を求めるためのシミュレーションデータから抽出されますが、注 2 で述べたファンおよびヒートシンクを含めるために修正を加えています。
(5) 接合部と基板との間の特性パラメータ ψJB は、実際のシステムにおけるデバイスの接合部温度を推定するもので、JESD51-2a (セクション 6 および 7) に記述されている手順を用いて、RθJA を求めるためのシミュレーションデータから抽出されますが、注 2 で述べたファンおよびヒートシンクを含めるために修正を加えています。