JAJSH72 April   2019 DRV3245E-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     Device Images
      1.      概略回路図
  4. 4概要（続き）
  5. 5デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 5.1 デバイス・サポート
      1. 5.1.1 デバイスの項目表記
    2. 5.2 ドキュメントのサポート
    3. 5.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 5.4 コミュニティ・リソース
    5. 5.5 商標
    6. 5.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 5.7 Glossary
  6. 6メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定取得済み
    • デバイス温度グレード 0：
      -40°C～+150°C、TA
  • SafeTI™半導体コンポーネント
    • ISO 26262 の該当する要件に従い開発
  • 4.5V～45V の動作電圧
  • 最大 1A のピーク・ゲート・ドライブ電流をプログラム可能
  • チャージ・ポンプ・ゲート・ドライバによる 100% デューティ・サイクル
  • 電流シャント・アンプと位相コンパレータ
    • A デバイス：3 つの電流シャント・アンプと、SPI 経由のステータス付き 3 相コンパレータ
    • B デバイス：2 つの電流シャント・アンプと、デジタル・ピンによるリアルタイム・モニタ付きの 3 相コンパレータ
  • 最高 20kHz の 3-PWM または 6-PWM 入力制御
  • 単一 PWM モード整流機能
  • 3.3V と 5V の両方のデジタル・インターフェイスをサポート
  • シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
  • 熱特性が強化された 48 ピン HTQFP
  • 保護機能
    • 内蔵レギュレータ、バッテリ電圧モニタ
    • SPI CRC
    • クロック・モニタ
    • アナログ組み込み自己テスト
    • プログラム可能なデッド・タイム制御
    • MOSFET 貫通電流防止
    • MOSFET VDS 過電流監視
    • ゲート・ソース電圧のリアルタイム監視
    • 過熱警告