JAJSEM5
February 2019
DRV5021-Q1
PRODUCTION DATA.
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
Device Images
標準アプリケーション回路図
磁気応答
4
改訂履歴
5
Pin Configuration and Functions
Pin Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Magnetic Characteristics
6.7
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Field Direction Definition
7.3.2
Device Output
7.3.3
Power-On Time
7.3.4
Hall Element Location
7.3.5
Propagation Delay
7.3.6
Output Stage
7.4
Device Functional Modes
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Applications
8.2.1
Proximity Sensing Circuit
8.2.1.1
Design Requirements
8.2.1.2
Detailed Design Procedure
8.2.1.2.1
Configuration Example
8.2.1.3
Application Curves
8.2.2
Alternative Two-Wire Application
8.2.2.1
Design Requirements
8.2.2.2
Detailed Design Procedure
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.2
Layout Example
11
デバイスおよびドキュメントのサポート
11.1
ドキュメントのサポート
11.1.1
関連資料
11.2
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
11.3
コミュニティ・リソース
11.4
商標
11.5
静電気放電に関する注意事項
11.6
Glossary
12
メカニカル、パッケージ、および注文情報
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
DBZ|3
MPDS108F
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsem5_oa
1
特長
車載アプリケーションに対応
下記内容で AEC-Q100 認定済み
デバイス温度グレード 0:動作時周囲温度範囲 –40°C~150°C
デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
デバイス CDM ESD 分類レベル C6
デジタル・ユニポーラ・スイッチのホール・センサ
2.5V~5.5V の V
CC
範囲で動作
磁気感度オプション (B
OP
、B
RP
)
DRV5021A1
-Q
: 2.9mT、1.8mT
DRV5021A2
-Q
: 9.2mT、7.0mT
DRV5021A3
-Q
: 17.9mT、14.1mT
高速な 30kHz センシング帯域幅
オープン・ドレイン出力能力 20mA
最適化された低電圧アーキテクチャ
内蔵ヒステリシスによりノイズ耐性が向上
標準の産業用パッケージ
表面実装 SOT-23