JAJSC69G December   2014  – March 2017 DRV5023-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Magnetic Characteristics
    8. 6.8 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Field Direction Definition
      2. 7.3.2 Device Output
      3. 7.3.3 Power-On Time
      4. 7.3.4 Output Stage
      5. 7.3.5 Protection Circuits
        1. 7.3.5.1 Overcurrent Protection (OCP)
        2. 7.3.5.2 Load Dump Protection
        3. 7.3.5.3 Reverse Supply Protection
        4. 7.3.5.4 Output Jitter Characteristic
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 Standard Circuit
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 8.2.1.2.1 Configuration Example
        3. 8.2.1.3 Application Curves
      2. 8.2.2 Alternative Two-Wire Application
        1. 8.2.2.1 Design Requirements
        2. 8.2.2.2 Detailed Design Procedure
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 デバイスの項目表記
      2. 11.1.2 デバイスのマーキング
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 コミュニティ・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

11 デバイスおよびドキュメントのサポート

11.1 デバイス・サポート

11.1.1 デバイスの項目表記

DRV5023-Q1デバイスの完全なデバイス名を読むための凡例を、Figure 26に示します。

DRV5023-Q1 dev_nomenclature_lis163.gif Figure 26. デバイス名の見方

11.1.2 デバイスのマーキング

DRV5023-Q1 package_sot_slis150.gif Figure 27. SOT-23 (DBZ)パッケージ
DRV5023-Q1 package_sip_slis150.gif Figure 28. TO-92 (LPG)パッケージ
DRV5023-Q1 inline_hall_sensor_slis150.gifはホール効果センサを示します(実際の大きさに比例してはいません)。ホール素子はパッケージの中心に、許容誤差±100µmで配置されています。ホール素子の高さは、パッケージの底面から計測して、DBZパッケージでは0.7mm±50µm、LPGパッケージでは0.987mm±50µmです。

11.2 ドキュメントのサポート

11.2.1 関連資料

関連資料については、以下を参照してください：

『ホール効果センサの理解と適用』データシート

11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法

ドキュメントの更新についての通知を受け取るには、ti.comのデバイス製品フォルダを開いてください。右上の隅にある「通知を受け取る」をクリックして登録すると、変更されたすべての製品情報に関するダイジェストを毎週受け取れます。変更の詳細については、修正されたドキュメントに含まれている改訂履歴をご覧ください。

11.4 コミュニティ・リソース

The following links connect to TI community resources. Linked contents are provided "AS IS" by the respective contributors. They do not constitute TI specifications and do not necessarily reflect TI's views; see TI's Terms of Use.

    TI E2E™オンライン・コミュニティ TIのE2E（Engineer-to-Engineer）コミュニティ。エンジニア間の共同作業を促進するために開設されたものです。e2e.ti.comでは、他のエンジニアに質問し、知識を共有し、アイディアを検討して、問題解決に役立てることができます。
    設計サポート TIの設計サポート 役に立つE2Eフォーラムや、設計サポート・ツールをすばやく見つけることができます。技術サポート用の連絡先情報も参照できます。

11.5 商標

E2E is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

11.6 静電気放電に関する注意事項

esds-image

これらのデバイスは、限定的なESD（静電破壊）保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。

11.7 Glossary

SLYZ022 — TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.