JAJSD94G April   2017  – July 2024 DRV5032

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 磁気特性
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 磁束の方向
      2. 7.3.2 デバイス バージョンの比較
        1. 7.3.2.1 磁気スレッショルド
        2. 7.3.2.2 磁気応答
        3. 7.3.2.3 出力方式
        4. 7.3.2.4 サンプリング レート
      3. 7.3.3 ホール素子の位置
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 出力タイプのトレードオフ
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 汎用磁気センシング
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 3 ポジション・スイッチ
        1. 8.2.2.1 設計要件
        2. 8.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 設計のベスト プラクティス
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.5.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DBZ|3
  • DMR|4
  • LPG|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

VCC = 1.65V～5.5V、自由気流での動作温度範囲内 (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
プッシュプル出力ドライバ
VOH High レベル出力電圧 IOUT = -1mA VCC - 0.35 VCC - 0.1 V
VOL Low レベル出力電圧 IOUT = 1mA 0.1 0.3 V
オープン ドレイン出力
IOZ 高インピーダンス出力リーク電流 VCC = 5.5V、OUT = 5.5V 5 100 nA
VOL Low レベル出力電圧 IOUT = 1mA 0.1 0.3 V
DG バージョン
fS 磁気サンプリングの周波数 40 80 120 Hz
tS 磁気サンプリングの周期 8 12.5 25 ms
ICC(AVG) 平均消費電流 VCC = 1.8V 5.2 µA
VCC = 3V 5.7 7.9
VCC = 5V 6
DU、FA、FC、FD、AJ、ZE バージョン
fS 磁気サンプリングの周波数 13.3 20 37 Hz
tS 磁気サンプリングの周期 27 50 75 ms
ICC(AVG) 平均消費電流 VCC = 1.8V 1.3 µA
VCC = 3V 1.6 3.5
VCC = 5V 2.3
FB バージョン
fS 磁気サンプリングの周波数 3.5 5 8.5 Hz
tS 磁気サンプリングの周期 117 200 286 ms
ICC(AVG) 平均消費電流 VCC = 1.8V 0.54 µA
平均消費電流 VCC = 3V 0.69 1.8
平均消費電流 VCC = 5V 1.06
すべてのバージョン
ICC(PK) ピーク消費電流 2 2.7 mA
tON パワーオン時間 (図 8-7 を参照) 55 100 μs
tACTIVE アクティブ期間 (図 8-7 を参照) 40 μs