JAJSD94G April   2017  – July 2024 DRV5032

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 磁気特性
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 磁束の方向
      2. 7.3.2 デバイス バージョンの比較
        1. 7.3.2.1 磁気スレッショルド
        2. 7.3.2.2 磁気応答
        3. 7.3.2.3 出力方式
        4. 7.3.2.4 サンプリング レート
      3. 7.3.3 ホール素子の位置
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 出力タイプのトレードオフ
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 汎用磁気センシング
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 3 ポジション・スイッチ
        1. 8.2.2.1 設計要件
        2. 8.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 設計のベスト プラクティス
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.5.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DBZ|3
  • DMR|4
  • LPG|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) DRV5032 単位
DBZ (SOT-23) DMR (X2SON) LPG (TO-92)
3 ピン 4 ピン 3 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 356 159 183.1 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 128 77 74.2 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 94 102 158.8 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 11.4 0.9 15.2 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 92 100 158.8 ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション ノートを参照してください。