JAJSIH0B July 2020 – June 2021 DRV8106-Q1
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
周囲温度が高い動作環境の場合、ドライバの内部自己発熱を推定することが重要になる場合があります。デバイスの温度を判定するには、まず内部消費電力を計算する必要があります。その後、デバイス・パッケージの温度特性についての推定値を求められます。
内部消費電力には 4 つの主要な要素があります。
PHS と PLS の値は、以下に示すように、チャージ・ポンプの負荷電流に関する前述の式を参照することで、概算できます。標準的なスイッチの場合、1 つのハイサイド MOSFET と 1 つのローサイド MOSFET がスイッチします。
入力設計パラメータを例に使用すると、ハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバからの電流負荷を計算できます。
ここから、以下のドライバ消費電力の式により、消費電力を計算できます。ハイサイドには、チャージ・ポンプ内の損失を考慮した 2 倍の係数が含まれています。
入力設計パラメータを例に使用すると、ハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバからの消費電力を計算できます。
PPVDD と PVCC の値は、以下の式を参照して概算できます。
入力設計パラメータを例として使用し、電源の消費電力を計算できます。
最後に、デバイス・ジャンクション温度を推定するために、次の式を参照できます。
前述の計算で求めた消費電力値と「熱に関する情報」の表にあるデバイス温度パラメータを使用して、デバイスの内部温度を推定できます。