JAJSIH0B July   2020  – June 2021 DRV8106-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 説明
  4. 4 改訂履歴
    1.     デバイス比較表
  5. 5 ピン構成
    1.     DRV8106-Q1_RHB パッケージ (VQFN) ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件
    7. 6.7 タイミング図
    8. 6.8 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 外付け部品
      2. 7.3.2 デバイス・インターフェイス・バリアント
        1. 7.3.2.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
        2. 7.3.2.2 ハードウェア (H/W)
      3. 7.3.3 入力 PWM モード
        1. 7.3.3.1 ハーフブリッジ制御
      4. 7.3.4 スマート・ゲート・ドライバ
        1. 7.3.4.1 機能ブロック図
        2. 7.3.4.2 スルーレート制御 (IDRIVE)
        3. 7.3.4.3 ゲート・ドライブ・ステート・マシン (TDRIVE)
      5. 7.3.5 電圧増倍 (単段) チャージ・ポンプ
      6. 7.3.6 広同相差動電流シャント・アンプ
      7. 7.3.7 ピン配置
        1. 7.3.7.1 ロジック・レベル入力ピン (DRVOFF、IN1/EN、nHIZx、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI)
        2. 7.3.7.2 ロジック・レベル・プッシュプル出力 (SDO)
        3. 7.3.7.3 ロジック・レベル・オープン・ドレイン出力 (nFAULT)
        4. 7.3.7.4 クワッドレベル入力 (GAIN)
        5. 7.3.7.5 6 レベル入力 (IDRIVE、VDS)
      8. 7.3.8 保護および診断機能
        1. 7.3.8.1  ゲート・ドライバのディセーブルとイネーブル (DRVOFF と EN_DRV)
        2. 7.3.8.2  フォルト・リセット (CLR_FLT)
        3. 7.3.8.3  DVDD ロジック電源パワーオン・リセット (DVDD_POR)
        4. 7.3.8.4  PVDD 電源低電圧監視 (PVDD_UV)
        5. 7.3.8.5  PVDD 電源過電圧監視 (PVDD_OV)
        6. 7.3.8.6  VCP チャージ・ポンプ低電圧誤動作防止 (VCP_UV)
        7. 7.3.8.7  MOSFET VDS 過電流保護 (VDS_OCP)
        8. 7.3.8.8  ゲート・ドライバ・フォルト (VGS_GDF)
        9. 7.3.8.9  過熱警告 (OTW)
        10. 7.3.8.10 サーマル・シャットダウン (OTSD)
        11. 7.3.8.11 オフライン短絡とオープン負荷検出 (OOL / OSC)
        12. 7.3.8.12 障害検出と応答の概略表
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 非アクティブまたはスリープ状態
      2. 7.4.2 スタンバイ状態
      3. 7.4.3 動作状態
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 SPI インターフェイス
      2. 7.5.2 SPI フォーマット
      3. 7.5.3 複数スレーブに対する SPI インターフェイス
        1. 7.5.3.1 デイジー・チェーン内の複数のスレーブ用 SPI インターフェイス
    6. 7.6 レジスタ・マップ
      1. 7.6.1 ステータス・レジスタ
      2. 7.6.2 制御レジスタ
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 ゲート・ドライバ構成
          1. 8.2.2.1.1 VCP 負荷計算の例
          2. 8.2.2.1.2 IDRIVE 計算例
        2. 8.2.2.2 電流シャント・アンプの構成
        3. 8.2.2.3 消費電力
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク容量
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
      2. 11.1.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 11.2 サポート・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 11.5 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RHB|32
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

4.9V ≤ VPVDD ≤ 37V、–40℃ ≤ TJ ≤ 150℃ (特に記述のない限り)。標準的な制限は、VPVDD = 13.5V、TJ = 25℃に対して適用されます。
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
電源 (DRAIN、DVDD、PVDD、VCP)
IPVDDQ PVDD スリープ・モード電流 VPVDD、VDRAIN = 13.5V、nSLEEP = 0V
–40 ≤ TJ ≤ 85℃		 2.25 3 µA
IDRAINQ DRAIN スリープ・モード電流 VPVDD、VDRAIN = 13.5V、nSLEEP = 0V
–40 ≤ TJ ≤ 85℃		 2 2.75 µA
IDVDDQ DVDD スリープ・モード電流 VPVDD、VDRAIN = 13.5V、nSLEEP = 0V
–40 ≤ TJ ≤ 85℃		 2 3.5 µA
IPVDD PVDD アクティブ・モード電流 VPVDD、VDRAIN = 13.5V、nSLEEP = 5V 2 3 mA
IDRAIN DRAIN アクティブ・モード電流 VPVDD、VDRAIN = 13.5V、nSLEEP = 5V、VDS_LVL ≤ 500mV 250 325 µA
IDVDD DVDD アクティブ・モード電流 VDVDD = 5V、SDO = 0V 3.5 5.5 mA
fDVDD デジタル・オシレーター・スイッチング周波数 拡散スペクトラムの 1 次周波数 14.25 MHz
tWAKE ターンオン時間 nSLEEP = 5V でアクティブ・モード 1 ms
tSLEEP ターンオフ時間 nSLEEP = 0V でスリープ・モード 1 ms
VVCP PVDD を基準とするチャージ・ポンプ・レギュレータ電圧 VPVDD ≥ 13V、IVCP ≤ 15mA 9.5 10.5 11 V
VPVDD = 11V、IVCP ≤ 15mA 8.4 10 11
VPVDD = 9V、IVCP ≤ 11mA 7 8 9
VPVDD = 7V、IVCP ≤ 7.5mA 5.5 6 7
VPVDD = 5.5V、IVCP ≤ 5mA 4.5 5 5.5
fVCP チャージ・ポンプ・スイッチング周波数 拡散スペクトラムの 1 次周波数 400 kHz
ロジック・レベル入力 (DRVOFF、IN1/EN、nHIZx、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI)
VIL 入力ロジック Low 電圧 DRVOFF、IN1/EN、nHIZx、nSLEEP、SCLK、SDI 0 VDVDD x 0.3 V
VIH 入力ロジック High 電圧 DRVOFF、IN1/EN、nHIZx、nSLEEP、SCLK、SDI VDVDD x 0.7 5.5 V
VHYS 入力ヒステリシス VDVDD x 0.1 V
IIL 入力ロジック Low 電流 VDIN = 0V、DRVOFF、IN1/EN、nHIZx、nSLEEP、SCLK、SDI –5 5 µA
VDIN = 0V、nSCS 50 100
IIH 入力ロジック High 電流 VDIN = 5V、DRVOFF、IN1/EN、nHIZx、nSLEEP、SCLK、SDI 50 100 µA
VDIN = 5V、VDVDD = 5V、nSCS –5 5
RPD 入力プルダウン抵抗 GND、DRVOFF、IN1/EN、nHIZx、nSLEEP、SCLK、SDI へ接続 50 100 150 kΩ
RPU 入力プルアップ抵抗 DVDD、nSCS へ接続 50 100 150 kΩ
マルチレベル入力 (GAIN、IDRIVE、VDS)
VQI1 クワッドレベル入力 1 GAIN
電圧をレベル 1 に設定		 0 VDVDD x 0.1 V
RQI2 クワッドレベル入力 2 GAIN
GND への抵抗をレベル 2 に設定		 44.65 47 49.35 kΩ
RQI3 クワッドレベル入力 3 GAIN
GND への抵抗をレベル 3 に設定		 500 Hi-Z kΩ
VQI4 クワッドレベル入力 4 GAIN
電圧をレベル 4 に設定		 VDVDD x 0.9 5.5 V
RQPD クワッドレベル・プルダウン抵抗 GAIN、GND へ接続 98 kΩ
RQPU クワッドレベル・プルアップ抵抗 GAIN、DVDD へ接続 98 kΩ
VSI1 6 レベル入力 1 IDRIVE、VDS
電圧をレベル 1 に設定		 0 VDVDD x 0.1 V
RSI2 6 レベル入力 2 IDRIVE、VDS
GND への抵抗をレベル 2 に設定		 28.5 30 31.5 kΩ
RSI3 6 レベル入力 3 IDRIVE、VDS
GND への抵抗をレベル 3 に設定		 95 100 105 kΩ
RSI4 6 レベル入力 4 IDRIVE、VDS
GND への抵抗をレベル 4 に設定		 500 Hi-Z kΩ
RSI5 6 レベル入力 5 IDRIVE、VDS
DVDD への抵抗をレベル 5 に設定		 58.9 62 65.1 kΩ
RSI6 6 レベル入力 6 IDRIVE、VDS
電圧をレベル 6 に設定		 VDVDD x 0.9 5.5 V
RSPD 6 レベル・プルダウン抵抗 IDRIVE、VDS、GND へ接続 98 kΩ
RSPU 6 レベル・プルアップ抵抗 IDRIVE、VDS、DVDD へ接続 69 kΩ
ロジック・レベル出力 (nFAULT、SDO)
VOL 出力ロジック Low 電圧 IDOUT = 5mA 0.5 V
VOH ロジック High 出力電圧 IDOUT = –5mA、SDO VDVDD x 0.8 V
IODZ オープン・ドレイン・ロジック High 電流 VOD = 5V、nFAULT –10 10 µA
ゲート・ドライバ (GHx、GLx)
VGHx_L GHx Low レベル出力電圧 IDRVN_HS = ISTRONG、IGHx = 1mA、
GHx～SHx		 0 0.25 V
VGLx_L GLx Low レベル出力電圧 IDRVN_LS = ISTRONG、IGLx = 1mA、
GLx～SLx		 0 0.25 V
VGHx_H GHx High レベル出力電圧 IDRVP_HS = IHOLD、IGHx = 1mA、
VCP～GHx		 0 0.25 V
VGLx_H GLx High レベル出力電圧 IDRVP_LS = IHOLD、IGLx = 1mA、
10.5V ≤ VPVDD ≤ 37V、GLx～SLx		 10.25 10.5 12.5 V
IDRVP_LS = IHOLD、IGLx = 1mA、
4.9V ≤ VPVDD ≤ 10.5V、GLx～SLx		 VPVDD - 0.25 VPVDD VPVDD V
IDRVP、SPI ピーク・ゲート電流 (ソース)
SPI デバイス		 IDRVP = 0000b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 0.2 0.5 0.8 mA
IDRVP = 0001b、VGSx= 3V、VPVDD≥ 7V 0.5 1 1.5
IDRVP = 0010b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 1.3 2 2.7
IDRVP = 0011b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 2.1 3 3.9
IDRVP = 0100b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 2.9 4 5.1
IDRVP = 0101b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 4.5 6 7.5
IDRVP = 0110b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 6 8 10
IDRVP = 0111b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 9 12 15
IDRVP = 1000b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 12 16 20
IDRVP = 1001b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 15 20 25
IDRVP = 1010b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 18 24 30
IDRVP = 1011b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 21 28 35
IDRVP = 1100b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 23.25 31 38.75
IDRVP = 1101b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 26.5 40 50
IDRVP = 1110b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 28 48 60
IDRVP = 1111b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 30 62 77.5
IDRVP、H/W ピーク・ゲート電流 (ソース)
H/W デバイス		 IDRIVE レベル 1、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 0.5 1 1.5 mA
IDRIVE レベル 2、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 2.9 4 5.1
IDRIVE レベル 3、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 6 8 10
IDRIVE レベル 4、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 12 16 20
IDRIVE レベル 5、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 23.25 31 38.75
IDRIVE レベル 6、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 30 62 77.5
IDRVN、SPI ピーク・ゲート電流 (シンク)
SPI デバイス		 IDRVN = 0000b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 0.15 0.5 0.85 mA
IDRVN = 0001b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 0.35 1 1.65
IDRVN = 0010b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 0.85 2 3.15
IDRVN = 0011b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 1.4 3 4.6
IDRVN = 0100b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 2.1 4 5.9
IDRVN = 0101b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 3.5 6 8.5
IDRVN = 0110b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 5 8 11
IDRVN = 0111b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 8 12 16
IDRVN = 1000b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 11.5 16 20
IDRVN = 1001b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 14.7 20 25
IDRVN = 1010b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 18 24 30
IDRVN = 1011b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 21 28 35
IDRVN = 1100b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 23.25 31 38.75
IDRVN = 1101b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 30 40 52
IDRVN = 1110b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 36 48 62
IDRVN = 1111b、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 46.5 62 80
IDRVN、H/W ピーク・ゲート電流 (シンク)
H/W デバイス		 IDRIVE レベル 1、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 0.35 1 1.65 mA
IDRIVE レベル 2、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 2.1 4 5.9
IDRIVE レベル 3、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 5 8 11
IDRIVE レベル 4、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 11.5 16 20
IDRIVE レベル 5、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 23.25 31 38.75
IDRIVE レベル 6、VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 46.5 62 80
IHOLD ゲート・プルアップ・ホールド電流 VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V 5 16 30 mA
ISTRONG ゲート・プルダウン強電流 VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V、
0.5 ≤ IDRVP ≤ 12mA		 30 62 100 mA
VGSx = 3V、VPVDD ≥ 7V、
16 ≤ IDRVP ≤ 62mA		 45 128 205 mA
RPDSA_LS ローサイド・セミアクティブ・プルダウン GLx～SLx、VGSx = 3V 1.8 kΩ
GLx～SLx、VGSx = 1V 5 kΩ
RPD_HS ハイサイド・パッシブ・プルダウン抵抗 GHx～SHx 150 kΩ
RPD_LS ローサイド・パッシブ・プルダウン抵抗 GLx～SLx 150 kΩ
ISHx スイッチ・ノード・センス・リーク電流 SHx へ流入、SHx = DRAIN ≤ 37V
GHx – SHx = 0V、nSLEEP = 0V		 –5 0 25 µA
SHx へ流入、SHx = DRAIN ≤ 37V
GHx – SHx = 0V、nSLEEP = 5V		 –150 –100 –40 µA
ゲート・ドライバ・タイミング (GHx、GLx)
tPDR_LS ローサイド立ち上がり伝搬遅延 GLx への入力の立ち上がり 300 850 ns
tPDF_LS ローサイド立ち下がり伝搬遅延 GLx への入力の立ち下がり 300 600 ns
tPDR_HS ハイサイド立ち上がり伝搬遅延 GHx への入力の立ち上がり 300 600 ns
tPDF_HS ハイサイド立ち下がり伝搬遅延 GHx への入力の立ち下がり 300 600 ns
tDEAD 内部ハンドシェイク・デッドタイム VGSx_L/VGSx_H 立ち下がり 10%～VGSx_H/VGSx_L 立ち上がり 10% 350 ns
tDEAD_D, SPI 挿入可能なデジタル・デッドタイム
SPI デバイス		 VGS_TDEAD = 000b、ハンドシェイクのみ 0 ns
VGS_TDEAD = 001b 150 250 350
VGS_TDEAD = 010b 400 500 600
VGS_TDEAD = 011b 600 750 900
VGS_TDEAD = 100b 800 1000 1200
VGS_TDEAD = 101b 1600 2000 2400
VGS_TDEAD = 110b 3400 4000 4600
VGS_TDEAD = 111b 7200 8000 8800
tDEAD_D、H/W 挿入可能なデジタル・デッドタイム
H/W デバイス		 ハンドシェイクのみ 0 ns
電流シャント・アンプ (AREF、SN、SO、SP)
VCOM 同相入力範囲 –2 VPVDD + 2 V
GCSA、SPI センス・アンプ・ゲイン
SPI デバイス		 CSA_GAIN = 00b 9.9 10.15 10.4 V/V
CSA_GAIN = 01b 19.5 20 20.5
CSA_GAIN = 10b 39 40 41
CSA_GAIN = 11b 78 80 82
GCSA、H/W センス・アンプ・ゲイン
H/W デバイス		 GAIN クワッドレベル 1 9.9 10.15 10.4 V/V
GAIN クワッドレベル 2 19.5 20 20.5
GAIN クワッドレベル 3 39 40 41
GAIN クワッドレベル 4 78 80 82
tSET ±1% までのセンス・アンプ・セトリング・タイム VSO_ STEP = 1.5V、GCSA = 10V/V
CSO = 60pF		 2.2 µs
VSO_ STEP = 1.5V、GCSA = 20V/V
CSO = 60pF		 2.2
VSO_ STEP = 1.5V、GCSA = 40V/V
CSO = 60pF		 2.2
VSO_ STEP = 1.5V、GCSA = 80V/V
CSO = 60pF		 3
tBLK、SPI センス・アンプ出力ブランキング時間
SPI デバイス		 CSA_BLK = 000b、tDRIVE 期間の割合 (%) 0 %
CSA_BLK = 001b、tDRIVE 期間の割合 (%) 25
CSA_BLK = 010b、tDRIVE 期間の割合 (%) 37.5
CSA_BLK = 011b、tDRIVE 期間の割合 (%) 50
CSA_BLK = 100b、tDRIVE 期間の割合 (%) 62.5
CSA_BLK = 101b、tDRIVE 期間の割合 (%) 75
CSA_BLK = 110b、tDRIVE 期間の割合 (%) 87.5
CSA_BLK = 111b、tDRIVE 期間の割合 (%) 100
tBLK、H/W センス・アンプ出力ブランキング時間
H/W デバイス		 0 ns
tSLEW 出力スルーレート CSO = 60pF 2.5 V/µs
VBIAS、SPI 出力電圧バイアス
SPI デバイス		 VSPx = VSNx = 0V、CSA_DIV = 0b VAREF/2 V
VSPx = VSNx = 0V、CSA_DIV = 1b VAREF/8
VBIAS、H/W 出力電圧バイアス
H/W デバイス		 VAREF/2 V
VLINEAR リニア出力電圧範囲 VAREF = 3.3V = 5V 0.25 VAREF – 0.25 V
VOFF 入力オフセット電圧 VSPx = VSNx = 0V、TJ = 25℃ –1.5 1.5 mV
VOFF_D 入力オフセット電圧ドリフト VSPx = VSNx = 0V ±10 ±25 µV/℃
IBIAS 入力バイアス電流 VSPx = VSNx = 0V、ピンへ流入 100 µA
IBIAS_OFF 入力バイアス電流オフセット ISPx – ISNx –1 1 µA
IAREF AREF 入力電流 VVREF = 3.3V = 5V 1 1.8 mA
CMRR 同相除去比 DC、–40 ≤ TJ ≤ 125℃ 72 90 dB
DC、–40 ≤ TJ ≤ 150℃ 69 90
20kHz 80
PSRR 電源電圧除去比 PVDD～SOx、DC 100 dB
PVDD～SOx、20kHz 90
PVDD～SOx、400kHz 70
保護回路
VPVDD_UV PVDD 低電圧スレッショルド VPVDD 立ち上がり 4.325 4.625 4.9 V
VPVDD 立ち下がり 4.25 4.525 4.8
VPVDD_UV_HYS PVDD 低電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 100 mV
tPVDD_UV_DG PVDD 低電圧グリッチ除去時間 8 10 12.75 µs
VPVDD_OV PVDD 過電圧スレッショルド VPVDD 立ち上がり、PVDD_OV_LVL = 0b 21 22.5 24 V
VPVDD 立ち下がり、PVDD_OV_LVL = 0b 20 21.5 23
VPVDD 立ち上がり、PVDD_OV_LVL = 1b 27 28.5 30
VPVDD 立ち下がり、PVDD_OV_LVL = 1b 26 27.5 29
VPVDD_OV_HYS PVDD 過電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 1 V
tPVDD_OV_DG PVDD 過電圧グリッチ除去時間 PVDD_OV_DG = 00b 0.75 1 1.5 µs
PVDD_OV_DG = 01b 1.5 2 2.5
PVDD_OV_DG = 10b 3.25 4 4.75
PVDD_OV_DG = 11b 7 8 9
VDVDD_POR DVDD 電源 POR スレッショルド DVDD 立ち下がり 2.5 2.7 2.9 V
DVDD 立ち上がり 2.6 2.8 3
VDVDD_POR_HYS DVDD POR ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 100 mV
tDVDD_POR_DG DVDD POR グリッチ除去時間 5 8 12.75 µs
VCP_UV、SPI チャージ・ポンプ低電圧スレッショルド
SPI デバイス		 VVCP - VPVDD、立ち下がり、VCP_UV = 0b 2 2.5 3 V
VVCP - VPVDD、立ち下がり、VCP_UV = 1b 4 5 6
VCP_UV、H/W チャージ・ポンプ低電圧スレッショルド
H/W デバイス		 2 2.5 3 V
tCP_UV_DG チャージ・ポンプ低電圧グリッチ除去時間 8 10 12.75 µs
VGS_CLP ハイサイド・ドライバ VGS 保護クランプ 12.5 15 17 V
VGS_LVL ゲート電圧監視スレッショルド VGH/Lx – VSH/Lx、VGS_LVL = 0b 1.1 1.4 1.75 V
VGH/Lx – VSH/Lx、VGS_LVL = 1b 0.8 1 1.2 V
tGS_FLT_DG VGS 障害監視グリッチ除去時間 1.5 2 2.75 µs
tGS_HS_DG VGS ハンドシェイク監視グリッチ除去時間 210 ns
tDRIVE、SPI VGS/VDS 監視ブランキング時間
SPI デバイス		 VGS_TDRV = 00b 80 96 120 µs
VGS_TDRV = 01b 1.5 2 2.5
VGS_TDRV = 10b 3.25 4 4.75
VGS_TDRV = 11b 7.5 8 9
tDRIVE、H/W VGS および VDS 監視、ブランキング時間
H/W デバイス		 3.25 4 4.75 µs
VDS_LVL、SPI VDS 過電流保護スレッショルド
SPI デバイス		 VDS_LVL = 0000b 0.04 0.06 0.08 V
VDS_LVL = 0001b 0.06 0.08 0.10
VDS_LVL = 0010b 0.08 0.10 0.12
VDS_LVL = 0011b 0.10 0.12 0.14
VDS_LVL = 0100b 0.12 0.14 0.16
VDS_LVL = 0101b 0.14 0.16 0.18
VDS_LVL = 0110b 0.16 0.18 0.20
VDS_LVL = 0111b 0.18 0.2 0.22
VDS_LVL = 1000b 0.27 0.3 0.33
VDS_LVL = 1001b 0.36 0.4 0.44
VDS_LVL = 1010b 0.45 0.5 0.55
VDS_LVL = 1011b 0.54 0.6 0.66
VDS_LVL = 1100b 0.63 0.7 0.77
VDS_LVL = 1101b 0.9 1 1.1
VDS_LVL = 1110b 1.26 1.4 1.54
VDS_LVL = 1111b 1.8 2 2.2
VDS_LVL、H/W VDS 過電流保護スレッショルド
H/W デバイス		 VDS 6 レベル入力 1 0.04 0.06 0.08 V
VDS 6 レベル入力 2 0.08 0.10 0.12
VDS 6 レベル入力 3 0.18 0.2 0.22
VDS 6 レベル入力 4 0.45 0.5 0.55
VDS 6 レベル入力 5 0.9 1 1.1
VDS 6 レベル入力 6 無効
tDS_DG、SPI VDS 過電流保護グリッチ除去時間
SPI デバイス		 VDS_DG = 00b 0.75 1 1.5 µs
VDS_DG = 01b 1.5 2 2.5
VDS_DG = 10b 3.25 4 4.75
VDS_DG = 11b 7.5 8 9
tDS_DG、H/W VDS 過電流保護グリッチ除去時間
H/W デバイス		 3.25 4 4.75 µs
IOLD オフライン診断用電流ソース プルアップ電流 3 mA
プルダウン電流 3
TOTW 過熱警告温度 TJ 立ち上がり 130 150 170 ℃
THYS 過熱警告ヒステリシス 20 ℃
TOTSD 過熱シャットダウン温度 TJ 立ち上がり 150 170 190 ℃
THYS 過熱シャットダウン・ヒステリシス 20 ℃