JAJSKG6B February   2020  – August 2021 DRV8210

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイスの比較
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 DSG パッケージの標準特性
    7. 7.7 DRL パッケージの標準特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 外付け部品
      2. 8.3.2 制御モード
        1. 8.3.2.1 PWM 制御モード (DSG：MODE = 0 かつ DRL)
        2. 8.3.2.2 PH/EN 制御モード (DSG: MODE = 1)
        3. 8.3.2.3 ハーフブリッジ制御モード (DSG: MODE = Hi-Z)
      3. 8.3.3 保護回路
        1. 8.3.3.1 電源の低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 8.3.3.2 OUTx 過電流保護 (OCP)
        3. 8.3.3.3 過熱検出保護 (TSD)
      4. 8.3.4 ピン構造図
        1. 8.3.4.1 ロジックレベル入力
        2. 8.3.4.2 トライレベル入力
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 アクティブ・モード
      2. 8.4.2 低消費電力スリープ・モード
      3. 8.4.3 フォルト・モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 フルブリッジ駆動
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 電源電圧
          2. 9.2.1.2.2 制御インターフェイス
          3. 9.2.1.2.3 低消費電力動作
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 ハーフブリッジ駆動
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.2.2.1 電源電圧
          2. 9.2.2.2.2 制御インターフェイス
          3. 9.2.2.2.3 低消費電力動作
        3. 9.2.2.3 アプリケーション曲線
      3. 9.2.3 デュアルコイル・リレーの駆動
        1. 9.2.3.1 設計要件
        2. 9.2.3.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.3.2.1 電源電圧
          2. 9.2.3.2.2 制御インターフェイス
          3. 9.2.3.2.3 低消費電力動作
        3. 9.2.3.3 アプリケーション曲線
      4. 9.2.4 電流センス
        1. 9.2.4.1 設計要件
        2. 9.2.4.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.4.2.1 シャント抵抗の決定
          2. 9.2.4.2.2 RCフィルタ
    3. 9.3 電流能力と熱性能
      1. 9.3.1 消費電力および出力電流特性
      2. 9.3.2 熱性能
        1. 9.3.2.1 定常状態熱性能
        2. 9.3.2.2 過渡熱性能
  10. 10電源に関する推奨事項
    1. 10.1 バルク容量
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.3.3.1 電源の低電圧誤動作防止 (UVLO)

電源電圧が低電圧誤動作防止スレッショルド電圧を下回ると、H ブリッジのすべての MOSFET がディセーブルになります。この状況では、チャージ・ポンプおよびデバイス・ロジックもディセーブルになります。分割電源 (DSG パッケージのみ) から電力を供給するとき、VCC ピンの電圧が VUVLO,VCC 立ち下がりスレッショルドを下回ると、UVLO がトリガされます。これにより、VM 電源は 0V まで低下できます。単一電源 (DRL パッケージのみ) で動作するときには、VM ピンの電圧が VUVLO,VM 立ち下がりスレッショルドを下回ると、UVLO がトリガされます。電源電圧が VUVLO 立ち上がりスレッショルドを上回ると、通常動作が再開されます。デバイスが UVLO に移行する条件を 表 8-6 に示します。

表 8-6 UVLO の応答条件
パッケージのバリアント VVM VVCC デバイスの応答
DSG 0V から VVM_MAX < 1.65V UVLO
0V から VVM_MAX > 1.65 V 通常動作
DRL < 1.65V N/A UVLO
1.65V から VVM_MAX N/A 通常動作