JAJSNH4 April   2022 DRV8300-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Device Comparison Table
  6. 6 Pin Configuration and Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings AUTO
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Timing Diagrams
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Three BLDC Gate Drivers
        1. 8.3.1.1 Gate Drive Timings
          1. 8.3.1.1.1 Propagation Delay
          2. 8.3.1.1.2 Deadtime and Cross-Conduction Prevention
        2. 8.3.1.2 Gate Driver Outputs
      2. 8.3.2 Pin Diagrams
      3. 8.3.3 Gate Driver Protective Circuits
        1. 8.3.3.1 VBSTx Undervoltage Lockout (BSTUV)
        2. 8.3.3.2 GVDD Undervoltage Lockout (GVDDUV)
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Bootstrap Capacitor and GVDD Capacitor Selection
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 12.2 サポート・リソース
    3. 12.3 Trademarks
    4. 12.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 12.5 Glossary
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

DRV8300-Q1 は、ハイサイドおよびローサイド N チャネル・パワー MOSFET を駆動できる 100V 3 相ハーフブリッジ・ゲート・ドライバです。DRV8300-Q1 は、内蔵ブートストラップ・ダイオードと外付けコンデンサを使ってハイサイド MOSFET のために適切なゲート駆動電圧を生成します。GVDD は、ローサイド MOSFET のゲート駆動電圧を生成するために使います。このゲート駆動アーキテクチャは、ピークで最大 750mA のソース電流と 1.5A のシンク電流に対応します。

位相ピン SHx は大きな負電圧過渡に耐えます。一方、ハイサイド・ゲート・ドライバ電源 BSTx および GHx はさらに大きな正電圧過渡 (絶対最大定格電圧 115V) に対応できるため、システムの堅牢性を高めることができます。伝搬遅延が短く、遅延マッチング仕様によりデッドタイムの要件が最小化されるため、さらに効率が向上します。GVDD と BST の低電圧誤動作防止による低電圧保護機能がローサイドとハイサイドの両方に備わっています。

製品情報
部品番号(1) パッケージ 本体サイズ (公称)
DRV8300QDPWRQ1 TSSOP (20) 6.40mm × 4.40mm
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
GUID-F3087F4D-87E5-4BA8-A2BB-98BBC9C4E1CB-low.gif概略回路図 (DRV8300-Q1)